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[求助] 背栅

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发表于 2011-9-15 11:15:01 | 显示全部楼层 |阅读模式

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请教各位达人:什么是背栅,什么是背栅效应?
发表于 2011-9-15 11:18:51 | 显示全部楼层
衬底就是背栅!
 楼主| 发表于 2011-9-15 11:21:13 | 显示全部楼层
只是表示形式不同吗?
发表于 2011-9-15 15:34:21 | 显示全部楼层
背栅是相对于栅而言的,栅上通电压,使栅下的衬底区表面反型,形成沟道,于是将衬底也称为背栅。
背栅效应:以一个NMOS为例,假设衬底正常,栅上加0.7V(假设)电压就可以形成沟道,管子导通。若衬底不正常,比如说浓度偏大,则栅上要加大于0.7V的电压才能形成沟道。这就是背栅效应。简单的说,背栅效应会影响阈值电压。
 楼主| 发表于 2011-9-16 16:59:11 | 显示全部楼层
受教了,十分感谢!
发表于 2011-12-14 09:32:15 | 显示全部楼层
回复 4# terry8876


    谢谢,
发表于 2011-12-14 19:38:23 | 显示全部楼层
谢了~~~~~
发表于 2011-12-15 14:33:47 | 显示全部楼层
回复 4# terry8876


   花花很厉害呀
发表于 2011-12-16 17:03:32 | 显示全部楼层
背栅—back gate, 看英文理解了吧
沟道上面的叫gate 沟道下面的叫back gate 呵呵 其实就是管子的衬底
gate 和 back gate上的电压都会对沟道有作用
发表于 2011-12-17 11:24:07 | 显示全部楼层
背栅效应=body effect?
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