在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 2050|回复: 0

[讨论] 1/f噪声 的两种模型

[复制链接]
发表于 2011-7-27 12:16:18 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
spice 中 1/f 噪声有两种模型,一种用kf,ef,af等参数表示,另外一种用noia,noib,noic 等表示。请问那一种的模型精确。我用代工厂的工艺,里面的低压管子的1/f用第一种模型,12V的高压管用第二种模型。基准电路中的PMOS管用低压管时,仿真出来的噪声,比用高压PMOS管仿真出来 的噪声要高的多。我本意为低压管的1/f 要比高压的1/f 噪声低,但是事实相反。不知道是模型的问题,还是事实就是这样?给位能否给点意见?
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /1 下一条


小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-11-15 15:59 , Processed in 0.027420 second(s), 9 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表