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工程需要,做一个震荡频率在2.4GHz的振荡器,相噪要求105dBc@10kHz,115dBc@100kHz,仿真和实物都做出来了,但是相噪还是达不到要求,不知道有没有相关工程经验的高手来解惑.
原理图
板子
1 低频振荡的解决:
基极部分的应该等效成一个开路短截线的形式,长度也是由仿真确定的,但是在进行时域仿真的时候,包括板子做出来调试的时候,感觉上基极的震荡回路由这个等效的电感确定了,狂自激.后来实在没办法了,把基极跟下面的焊盘导线割掉,焊个1K的电阻,后面跟个100p的电容到地,搞定了,但是不知道对整个电路的噪声会有多大的影响,另外,在设计VCO时候,如何避免这种低频自激.
2 如何提高相噪水平
看电路板:1 射极等效反馈电容,实际调板子的时候,用刀是沿着蓝线割掉的,2 震荡管,英飞凌的BFP520 3 出现低频振荡的基极偏置电路,就在焊盘上面割了一刀,焊个1k的电阻,然后焊盘到地100p电容,4 介质振荡器耦合电容,论文上说要耦合适当,我选用的是0.5PF 不知道大还是小 5 焊介质振荡器的地方 介质振荡器是同轴型 F=2700GHz Q值300 6 变容管耦合电容 0.5P 这个感觉不能大 否则变容管Q值很低 接入系数大了. 7 变容管 英飞凌 BB857/BB145 手上有两种 都试了 相噪都很低. 8 这里是为了保证输出到锁相环芯片的功率,加了个era-01的放大器,实际上没用到,直接几个大p电容耦过去了 ,偏置那块也是割掉的,没问题.
偏置啥的一般没问题Vce=2V Ie=10mA的样子 RF输出的耦合电容选的是2PF
电路其他部分的一个是锁相环芯片 ADF4113 还有一个是参考频率源 用的是30MHz的晶振 搭了个30M的振荡器.
另外 电源用的就是笔记本电脑的USB输出5V,电流大概200mA不到的样子,勉强带动..
现在的问题是 不管怎么做 10Khz的相噪都不超过95dB,而且很容易变差....经常换个啥元件 就跑到85dBc上面去了.
初步考虑的可能性:基极的那个电阻不知道适当不适当 会不会有什么不好的影响,
电源是不是有问题
然后就是元件值的选取是不是对头 耦合电容的大小有什么讲究.
有做个高相噪VCO的牛人能不能解答下,谢谢.工程停掉了 着急.
图外链的 不知道行不行 |
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发表于 2011-7-4 22:58:12
楼主