请教，基准输出电压修调

lx258258 · 发表于 2011-6-28 11:01:28

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测试流片回来的芯片，发现温度曲线跟仿真的有一定的差距，在-40到85C内，漂了10mV之多（仿真只有1.5mV，TT），且基准电压随温度上升一直上升。请教，这是什么原因？是流片后的PTAT项系数过大？
如果做修调的话，是不是流片后每个芯片都要根据各自的温度曲线进行各自独立的修调？还是只修调一个批次中的一个芯片，然后其它的芯片都按照同样的参数去修调？
另，LDO的温度系数一般都在多少ppm？（-40 到85 ），是不是将基准的温度系数修调到很好，LDO的温度系数就会很好了？
求有经验的高手解答下？谢谢

luckyhuihui666 · 发表于 2011-6-28 11:31:30

测试流片回来的芯片，发现温度曲线跟仿真的有一定的差距，在-40到85C内，漂了10mV之多（仿真只有1.5mV，TT） ...
lx258258 发表于 2011-6-28 11:01

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感觉你的这个15mV已经很好了啊，如果修调的话应该每个片子在CP的时候都要修的，前提是你已经加了trimming进去。一般来说几十个ppm都可以接受啊。

LoveMay · 发表于 2011-6-28 14:53:58

看到你做了在TT下的仿真，那其它工艺角下的温漂呢？
觉得应该对比下测试结果是否在最坏情况下的仿真范围之内。

lx258258 · 发表于 2011-6-28 17:39:30

本帖最后由 lx258258 于 2011-6-28 17:44 编辑

回复 2# luckyhuihui666

15mV已经算好了？算下来有大概60多ppm了，还是觉得大，加上LDO后温漂就更大了。如果每一个片子都要单独修调，这岂不是效率很低，无法量产了？不知道ADI公司卖的基准电路里，有没有修调？

lx258258 · 发表于 2011-6-28 17:41:34

回复 3# LoveMay

跑了工艺角，测试曲线的形状跟某一个工艺角下的仿真曲线类似，但是幅度比仿真的大。

luckyhuihui666 · 发表于 2011-6-28 20:45:58

回复 LoveMay

跑了工艺角，测试曲线的形状跟某一个工艺角下的仿真曲线类似，但是幅度比仿真的大 ...
lx258258 发表于 2011-6-28 17:41

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那说明你设计时的最坏情况应该就是这样子的吧。不是很懂，但是我们这里做过一个，仿真corner下都很好，但是出来漂的吓死人，都好几百mV了，现在改了一年多，差不多了。想trimming的话就是每个都修的，没办法的，当然你如果是改版也可以，但是批次之内也是有差别的……

luckyhuihui666 · 发表于 2011-6-28 20:56:24

测试流片回来的芯片，发现温度曲线跟仿真的有一定的差距，在-40到85C内，漂了10mV之多（仿真只有1.5mV，TT） ...
lx258258 发表于 2011-6-28 11:01

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一般来说，都是测好多片子，看你的温度曲线，然后做个统计，看哪个点的温度特性最好，然后把每个片子都测试输出电压，每个都进行trimming到这个点。还有如果你需要特性的输出电压，比如说2V，那么也需要每个片子都要测试并trimming 的。

chenxiliang · 发表于 2017-2-20 20:55:16

回复 7# luckyhuihui666

学习了。。

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