MOSIS的设计规则和其他参数的获取

happsky

我是新手，在网上下载到ncsu的免费cdk，请问一下，去哪里找他们的design rule和其他的一些参数呢，比如像mose管的最大电流密度，Vth，Cox，单位面积的电阻率，等等。。
我上mosis找了，英文不太好，没有找到。
另外
     1.NCSU_TechLib_ami06
     2.NCSU_TechLib_hp06
上面这两个分别是什么公司的呢？MOSIS上好像没有提到这个两个的。有提到这些但是不知道对应是那一家。

麻烦高手指点一下，告诉我design rule 和其他一些参数怎么找。谢谢了

[size=-1][size=-1]IBM Fabrication Processes The IBM fabrication processes available through MOSIS range from 45 nanometer to 0.25 µm in CMOS, and from 0.13 µm to 0.50 µm in SiGe BiCMOS. [size=-1]TSMC Fabrication Processes The TSMC fabrication processes available through MOSIS range from 40 nanometer to 0.35 µm. Low power, low voltage, and high voltage options are available in most of these technologies. [size=-1]ON Semiconductor Fabrication Processes The ON Semi CMOS processes available through MOSIS range from 0.35 µm to 0.7 µm. [size=-1]austriamicrosystems Fabrication Processes Processes offered by MOSIS through austriamicrosystems include 0.35 µm CMOS, high voltage CMOS, SiGe BiCMOS, and 0.18 µm CMOS and high voltage CMOS. [size=-1]Globalfoundries Fabrication Processes Processes offered by MOSIS through Globalfoundries include 65 nanometer. [size=-1]Tezzaron Fabrication Processes The Tezzaron fabrication processes available through MOSIS include two-tier 3DIC 130 nm CMOS. [size=-1]Peregrine Fabrication Processes The Peregrine fabrication processes available through MOSIS include both 0.50 µm SOS process (FC and FA), and the two versions of the 0.25 µm SOS process (GA and GC).

vdslafe

你要流片么？ 可以让你的公司或者学校跟mosis 签一个NDA，就能拿到你要的东西。

如果不需要流片，你也不用在乎那些后端的东西

ami05 应该是ON semi 的工艺了。
HP 应该没有fab 了

happsky

回复 2# vdslafe


    谢谢啊，因为这个是NCSU上面下载下来的，学习用的，请问有没有免费的呢？我只是做学习用，还没有打算流片。
如果拿不到这些东西，请问用什么pdk比较好，可以用于学习用的？

vdslafe

论坛上不是有smic 的pdk?

大飞

坛子里 T 和S好像都有，哈哈

yinhexitaiyang

版图最小尺寸！

Desingman

upload this pdk please and ami 0.5um too