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楼主: rcyang

-3db频率一直上不去,毕业设计卡住了,版主高手帮帮忙!

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发表于 2006-11-27 15:51:05 | 显示全部楼层
的确是哈,输入管子搞那么大,降低1/f噪声?提高增益?可这样做都不是好办法啊。LZ的运放第一级可以用折叠,如果是5V电源的话。nesta说得很有道理
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发表于 2006-11-27 21:16:52 | 显示全部楼层
看不到图啊!
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发表于 2006-11-27 23:04:04 | 显示全部楼层

回复 #1 rcyang 的帖子

同意2楼的观点。
3dB50M,假设你的单极点,看你电路图的名称应该是85dBDC增益,那单位增益带宽>500G,假设你的弥勒电容只有1p,那输入管跨导就得>0.5,这个cmos工艺不是容易实现的啊!是不是指标要求错了?
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发表于 2006-12-21 16:07:32 | 显示全部楼层
应该是有些参数要求搞错了
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发表于 2006-12-22 10:13:04 | 显示全部楼层
这里牛人多啊
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发表于 2006-12-22 12:08:15 | 显示全部楼层

工艺

比较同意上面的看法,关键看你的工艺,有的工艺上数字,50M没有问题,
但模拟不行。
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发表于 2006-12-22 15:07:24 | 显示全部楼层
50M肯定是指接成闭环应用时的带宽,一般都这样的定义。如果是接成单位增益应用的话,在你说的-3dB带宽有100K(应该是开环看的吧,而且没有补偿稳定吧)时,增益有50时,GBW就有50M了。 这个简单的2级的运放应该是做得到的。
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发表于 2007-1-16 11:54:36 | 显示全部楼层
zan 5lou de
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发表于 2007-1-16 15:01:32 | 显示全部楼层
如果用casdode,输入对管也应该是把,不然跟没用一样...
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发表于 2007-1-18 20:58:29 | 显示全部楼层
这种结构的除非应用在反馈中才有可能达到如此带宽
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