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查看: 6433|回复: 2

[讨论] 有源区DIFF 和 注入区NIMP/PIMP

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lifusu
发表于 2011-4-21 09:42:17 | 显示全部楼层 |阅读模式

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请问，这两个区域，哪一个是有真正的掩模版来做的？能具体点最好了，谢谢啦！！
最好

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xuyanyan141
发表于 2011-4-21 10:30:36 | 显示全部楼层
有源区定义的是氧化物上的开口；NIMP/PIMP定义的是在半导体的开口区域中掺入N型杂质还是P型杂质
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回复 支持 1 反对 0

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lifusu
 楼主| 发表于 2011-4-21 14:48:40 | 显示全部楼层
回复 2# xuyanyan141


    谢谢回复！
但是根据工艺流程（可参考IC Layout Basics - A Practical Guide一书），薄氧是不要用到掩模版的吧？只有注入杂质时用到吧？我是这么理解的，不知道有没错？
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