工艺里Native管子的△Vth特别小，可以用来做运放的输入管吗？

guang3000 · 发表于 2011-4-17 19:07:56

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本帖最后由 guang3000 于 2011-4-19 18:53 编辑

如下表所示，native NMOS的△Vth特别小，可能是因为它的Vth本身就小的原因吧。
在下表的数据中,普通NMOS管子的面积要native NMOS的4倍，才能达到相近的△Vth。
这个native管子用来做运放的输入管来减少失配行吗？有什么缺点啊？求高手指点！

大大山 · 发表于 2011-4-17 19:31:50

the N (that is concluded at the 'geo fac' equal) is what?

guang3000 · 发表于 2011-4-17 20:13:45

the N (that is concluded at the 'geo fac' equal) is what?
大大山发表于 2011-4-17 19:31

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应该就是M , N * W * L应该是算总面积

goodsilicon · 发表于 2011-4-18 09:36:09

如下表所示，native NMOS的△Vth特别小，可能是因为它的Vth本身就小的原因吧。
在下表的数据中,普通NMOS管 ...
guang3000 发表于 2011-4-17 19:07

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noise性能如何？

gm如何？

native的L需要取的比较大

没见人这样用过。

fuyibin · 发表于 2011-4-18 10:15:19

如下表所示，native NMOS的△Vth特别小，可能是因为它的Vth本身就小的原因吧。
在下表的数据中,普通NMOS管 ...
guang3000 发表于 2011-4-17 19:07

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native nmos的offset会更大，只有在headroom不够的情况下才考虑用native device吧

fuyibin · 发表于 2011-4-18 10:15:18

如下表所示，native NMOS的△Vth特别小，可能是因为它的Vth本身就小的原因吧。
在下表的数据中,普通NMOS管 ...
guang3000 发表于 2011-4-17 19:07

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native nmos的offset会更大，只有在headroom不够的情况下才考虑用native device吧

guang3000 · 发表于 2011-4-18 21:59:55

noise性能如何？

gm如何？

native的L需要取的比较大

没见人这样用过。
goodsilicon 发表于 2011-4-18 09:36

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多谢指点！noise 和 gm还没看，不过从大家的指点看来，应该不用看了。我看见工艺库上有所以才想占点小便宜。。。

过路心客 · 发表于 2011-4-19 16:46:01

native nmos的offset会更大，只有在headroom不够的情况下才考虑用native device吧
fuyibin 发表于 2011-4-18 10:15

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请教一下，为什么说“native nmos的offset会更大”？楼主给出的数据中，△Vt是native的小啊？这个一般有什么说法呢？

guang3000 · 发表于 2011-4-19 18:25:23

本帖最后由 guang3000 于 2011-4-19 18:28 编辑

native nmos的offset会更大，只有在headroom不够的情况下才考虑用native device吧
fuyibin 发表于 2011-4-18 10:15

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多谢指点!

bu neng

谢谢!

jifa1984 · 发表于 2011-9-2 11:29:20

请问楼主，你这个工艺是哪里的呢？我在找有native管子的工艺！谢谢拉！

[解决] 工艺里Native管子的△Vth特别小，可以用来做运放的输入管吗？

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