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查看: 9094|回复: 18

[解决] 流片时RF MOS和analog MOS的制造流程是完全一样的么?

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发表于 2011-3-26 22:04:16 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 guang3000 于 2011-4-22 18:35 编辑

[求助]流片时RF MOS和Analog MOS的制造流程是完全一样的么?

因为我做了一个RF的电路,由于用了自己的layout方法而不是library自动生成的layout,使得LVS过不了。如果删去一些层,比如LVS_RF等(Design Rule说这些层仅仅是LVS时使用的),然后在电路图中改成analog MOS,就可以通过LVS。

问题是实际流片生产中,RF MOS和analog MOS的制造流程是完全一样的么?比如一个管子用了RF MOS,旁边的一个管子用的是analog MOS,两者尺寸完全一样,layout的形状也一样(当然analog MOS的layout没有LVS_RF等),做出来的性能也是一样么?

谢谢了。
发表于 2011-3-26 22:41:31 | 显示全部楼层
不是有SoC这个词吗
具体你的神马工艺需要再确认一下
发表于 2011-3-27 00:44:02 | 显示全部楼层
一样的,RF_MOS只是在schematic simulation中加入了更多的parasitics.实际layout normal MOS 和 RFMOS没区别
 楼主| 发表于 2011-3-27 13:20:00 | 显示全部楼层
哦,就是RF MOS和analog MOS仅仅是model不同而已(RF MOS对寄生效应模拟的更精确一些),具体生产的时候还是一模一样的?
发表于 2011-3-27 19:52:59 | 显示全部楼层




    然也,三楼是正解。
发表于 2011-3-27 20:39:48 | 显示全部楼层
回复 5# christon


    shi di
发表于 2011-3-28 10:14:49 | 显示全部楼层


[求助]流片时RF MOS和analog MOS的制造流程是完全一样的么?

因为我做了一个RF的电路,由于用了自己的la ...
christon 发表于 2011-3-26 22:04



RF MOS 和analog MOS从工艺角度来说是一样的
RF layer只是CAD layer, lvs时候区分device而已,不是mask layer
如果是tsmc的话,RF MOS 就是他给你layout 画好了,电路做前仿时候都带寄生的,或者说model更准确
发表于 2011-3-29 23:46:16 | 显示全部楼层
那么普通Analog工艺的金属厚度也和RF的一样吗,还是不同呢?
发表于 2011-3-30 09:26:17 | 显示全部楼层


那么普通Analog工艺的金属厚度也和RF的一样吗,还是不同呢?
bing131 发表于 2011-3-29 23:46




    RF top 金属比较厚,用来做电感;其他的都一样。所谓的analog/RF工艺都是在logic工艺上添添补补,大部分是一样的。
发表于 2011-4-22 14:05:35 | 显示全部楼层
一样的,只是RF模型增加了高频模型!
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