集成电路版图设计（曾庆贵著）

chuyanchao · 发表于 2011-7-27 23:49:32

有了，还是顶一个……

haotf · 发表于 2011-8-11 08:28:18

集成电路版图设计本书目录
出版说明
前言
第1章　半导体和半导体器件基础
　1.1　半导体及其基本特性
　　1.1.1　半导体导电性的特点
　　1.1.2　半导体的导电机理
　　1.1.3　空穴的导电作用
　　1.1.4　能带图
　1.2　杂质对半导体导电性能的影响
　　1.2.1　施主杂质和N型半导体
　　1.2.2　受主杂质和P型半导体
　　1.2.3　多数载流子和少数载流子
　　1.2.4　杂质的补偿作用
　1.3　半导体的电阻率
　　1.3.1　半导体的电阻率的公式
　　1.3.2　电阻率和杂质浓度的关系
　　1.3.3　电阻率随湿度的变化
　1.4　非平衡载流子
　　1.4.1　非平衡载流子的产生和复合
　　1.4.2　扩散电流
　1.5　PN结
　　1.5.1　平衡PN结
　　1.5.2　PN结的正向特性
　　1.5.3　PN结的反向特性
　　1.5.4　PN结的击穿
　1.6　MOS场效应晶体管
　　1.6.1　MOS场效应晶体管的结构及工作原理
　　1.6.2　MOS场效应晶体管的直流特性
　1.7　双极型晶体管
　　1.7.1　双极型晶体管的基本结构
　　1.7.2　晶体管的电流传输
　　1.7.3　晶体管的特性参数
　1.8　习题
第2章　半导体集成电路
　2.1　集成电路的发明和发展
　　2.1.1　集成电路的发明
　　2.1.2　集成电路的发展
　　2.1.3　集成电路的未来发展趋势
　2.2　集成电路的未来发展趋势
　　2.2.1　按器件结构类型分类
　　2.2.2　按电路功能分析
　2.3　CMOS集成电路
　　2.3.1　CMOS集成电路的特点
　　2.3.2　CMOS数字电路
　　2.3.3　CMOS模拟电路
　2.4　集成电路设计简介
　　2.4.1　设计途径
　　2.4.2　设计要求
　　2.4.3　层次化设计方法
　2.5　习题
第3章　集成电路制造工艺
　3.1　氧化
　　3.1.1　二氧化硅（SiO2）的性质及作用
　　3.1.2　热氧化生长SiO2
　3.2　光刻与刻蚀
　　3.2.1　光刻工艺流程
　　3.2.2　光刻胶的基本属性
　3.3　掺杂
　　3.3.1　扩散　
　　3.3.2　离子注入
　3.4　淀积
　　3.4.1　物理气相淀积
　　3.4.2　化学气相淀积
　3.5　接触与互连
　3.6　CMOS工艺主要流程
　3.7　习题
第4章　UNIX操作系统和Cadence软件
　4.1　UNIX操作系统基础
　　4.1.1　有关目录的操作
　　4.1.2　有关文件操作
　　4.1.3　文件存取权限
　……
第5章　CMOS集成电路的版图设计
第6章　版图验证
第7章　外围器件及阴容元件设计
第8章　模拟和双极型集成电路的版图设计
第9章　版图设计技巧和实例
附录
参考文献

haotf · 发表于 2011-8-11 08:28:52

集成电路版图设计本书目录
出版说明
前言
第1章　半导体和半导体器件基础
　1.1　半导体及其基本特性
　　1.1.1　半导体导电性的特点
　　1.1.2　半导体的导电机理
　　1.1.3　空穴的导电作用
　　1.1.4　能带图
　1.2　杂质对半导体导电性能的影响
　　1.2.1　施主杂质和N型半导体
　　1.2.2　受主杂质和P型半导体
　　1.2.3　多数载流子和少数载流子
　　1.2.4　杂质的补偿作用
　1.3　半导体的电阻率
　　1.3.1　半导体的电阻率的公式
　　1.3.2　电阻率和杂质浓度的关系
　　1.3.3　电阻率随湿度的变化
　1.4　非平衡载流子
　　1.4.1　非平衡载流子的产生和复合
　　1.4.2　扩散电流
　1.5　PN结
　　1.5.1　平衡PN结
　　1.5.2　PN结的正向特性
　　1.5.3　PN结的反向特性
　　1.5.4　PN结的击穿
　1.6　MOS场效应晶体管
　　1.6.1　MOS场效应晶体管的结构及工作原理
　　1.6.2　MOS场效应晶体管的直流特性
　1.7　双极型晶体管
　　1.7.1　双极型晶体管的基本结构
　　1.7.2　晶体管的电流传输
　　1.7.3　晶体管的特性参数
　1.8　习题
第2章　半导体集成电路
　2.1　集成电路的发明和发展
　　2.1.1　集成电路的发明
　　2.1.2　集成电路的发展
　　2.1.3　集成电路的未来发展趋势
　2.2　集成电路的未来发展趋势
　　2.2.1　按器件结构类型分类
　　2.2.2　按电路功能分析
　2.3　CMOS集成电路
　　2.3.1　CMOS集成电路的特点
　　2.3.2　CMOS数字电路
　　2.3.3　CMOS模拟电路
　2.4　集成电路设计简介
　　2.4.1　设计途径
　　2.4.2　设计要求
　　2.4.3　层次化设计方法
　2.5　习题
第3章　集成电路制造工艺
　3.1　氧化
　　3.1.1　二氧化硅（SiO2）的性质及作用
　　3.1.2　热氧化生长SiO2
　3.2　光刻与刻蚀
　　3.2.1　光刻工艺流程
　　3.2.2　光刻胶的基本属性
　3.3　掺杂
　　3.3.1　扩散　
　　3.3.2　离子注入
　3.4　淀积
　　3.4.1　物理气相淀积
　　3.4.2　化学气相淀积
　3.5　接触与互连
　3.6　CMOS工艺主要流程
　3.7　习题
第4章　UNIX操作系统和Cadence软件
　4.1　UNIX操作系统基础
　　4.1.1　有关目录的操作
　　4.1.2　有关文件操作
　　4.1.3　文件存取权限
　……
第5章　CMOS集成电路的版图设计
第6章　版图验证
第7章　外围器件及阴容元件设计
第8章　模拟和双极型集成电路的版图设计
第9章　版图设计技巧和实例
附录
参考文献