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求教宽带宽运放的几个问题

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发表于 2011-3-19 21:16:16 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本人最近在设计一个要求大约为带宽1G以上,增益80db,功耗小于2mA(电源3v)的运放,负载0.5p。我是按照经典的全差分折叠式共源共栅结构设计的,目前正在优化中,但是有这么几个问题不理解,求教各位达人:

第一,是带宽的问题,一个单级的运放的带宽应该等于gm/CL,由于负载cl是固定的,所以如果说要提高带宽,只能从gm去下手,简单的说就是只能靠提高输入差分对的w/l和Id来实现,但是设计中会明显感到电流和w/l的调节只在一定范围内有效,也就是说理论上上讲,当宽长比增加2倍时带宽应该增加1.414倍,但是实际调节中为何远远达不到这样的效果。
第二是关于相位裕度的问题,当这个运放的带宽在接近1G的时候,次级点也就是折叠点处的极点开始影响相频曲线,我采取的办法是调节偏置,让折叠处那几个管子的尺寸尽量小,这样减小电容,以提高极点的位置。不知还有没有其他的解决此处相位裕度的问题。
另外大家觉得有什么其他结构更适合这个电路,都知会一声哈,多谢啦
发表于 2011-3-21 14:02:29 | 显示全部楼层
小弟大二,超前补偿?
发表于 2011-3-28 19:22:25 | 显示全部楼层
你加大电流或者通过改变输入管尺寸的时候,你要确定你的所有管子都在饱和区,你所说的条件才成立。
另外,在cascade电流源到输出加一个小的电容,可以改善相位余度。或者共栅管到输出之间加一个电阻也 可以。
你的工艺条件是?
发表于 2011-3-28 19:24:39 | 显示全部楼层
你加大电流或者通过改变输入管尺寸的时候,你要确定你的所有管子都在饱和区,你所说的条件才成立。
另外,在cascade电流源到输出加一个小的电容,可以改善相位余度。或者共栅管到输出之间加一个电阻也 可以。
你的工艺条件是?
 楼主| 发表于 2011-3-28 22:34:56 | 显示全部楼层
.11的工艺,现在基本解决了。不过还是谢谢,我回头再尝试下你说的办法
发表于 2011-4-3 22:41:20 | 显示全部楼层
“带宽1G以上”指的是GBW吧。经验:前仿时0.5u工艺看到GBW>800MHz的结果属于正常。
发表于 2011-4-16 17:16:38 | 显示全部楼层
如果你的电路中带宽是最重要的,而且输出摆幅并不是重要,输入输出不会短接,那么你可以采用套桶式结构,因为该结构的次极点要比折叠式的高,并且套桶式的功耗更低,噪声特性也要好的多。不知你的电路是否已经加入了共模反馈回路,如果考虑共模反馈回路引入的其他极点,GBW要达到1G以上,估计还是比较困难的。
至于你的问题,前面有人已经说了,在调节参数的时候你要充分考虑引起的其他变化。
3楼中提到的加入电容或电阻应该会导致带宽的下降,而且只有把当次极点降到足够低的时候才能提高相位裕度。
发表于 2014-1-10 22:07:15 | 显示全部楼层
回复 6# eescan


   我想问下你,0。5um工艺能做到800MHz以上吗?  我现在0.35um CMOS工艺想做到500MHz都很苦难啊 。只能到300M多。请问你是用的什么结构呢?
发表于 2017-10-20 10:56:43 | 显示全部楼层
回复 5# superspy007

这么多年过去了,请问怎么解决的
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