请高手指点一下，这些LDO的工艺情况大多是怎样的啊

power_zgg

想自己做个LDO玩玩，研究学习下。看了几份主流的LDO spec ,全部引脚就输入输出地+EN。

输入是2.5V 到 5.5V , 极限工作电压是6.5V , 输出电流300mA左右，工艺上是如何实现的啊？

(a)如果全部用5V的普通CMOS管，其工作电压已经是5.5V ，好像行不通。

(b)如果全部用DMOS管，其带隙基准及管子的匹配特性会好吗。。。

(c)会否是2.5V或者1.8V的普通管子+DMOS管，首先是一个粗糙的bandgap和内部LDO（两者由DMOS构成）把2.5V-5V的输入电压转化为1.8V的内部电压，这个内部电压供给进一步的bandgap(2.5V或者1.8V的普通管)，然后最后EA和PASS管由DMOS构成。

请高手指点一下，这些LDO的工艺情况大多是怎样的啊,谢谢!

xiaowanzi88

1).极限工作电压是6.5V----一般fab提供的VGS=VDS=5.5V的低压MOS管，其耐压可以达到6.5V。但超负荷应用，会加快器件老化。通常fab不会推荐设计工程师使用极限电压去设计电路。
2).目前流行的LDO，还不会使用BCD工艺去设计，DMOS通常用于功率管，提高电流驱动能力，节省一定面积。而不是用于6.5V的VIN设计！
3).如果是高压LDO，通常内部会使用Zener或者其他结构去实现一个高低压转换的regulator。给低压电路提供供电。

power_zgg

谢谢楼上的回复！你的意思是这些LDO都是普通5V标准CMOS工艺做的？

potee99

受教了，謝謝！

power_zgg

1).极限工作电压是6.5V----一般fab提供的VGS=VDS=5.5V的低压MOS管，其耐压可以达到6.5V。但超负荷应用，会加 ...
xiaowanzi88 发表于 2011-2-23 23:26

                               
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    谢谢楼上的回复！你的意思是这些LDO都是普通5.5V普通CMOS工艺做的？ 还是5V的普通管子？

gaojun927

极限工作电压应该不是工作电压。一般5v的管子在5.5长时间工作没问题，再超压也能工作，但可能寿命就下降，继续超电压后马上失效，应该就是这里的极限电压。