在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
EETOP诚邀模拟IC相关培训讲师 创芯人才网--重磅上线啦!
查看: 2103|回复: 3

[讨论] 用弱反型区设计LDO,设计方法?

[复制链接]
发表于 2010-10-29 13:09:05 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
用弱反型区设计LDO,设计方法?
Vth电压设置为多少?
 楼主| 发表于 2010-11-4 12:43:58 | 显示全部楼层
怎么没人回帖?
发表于 2011-10-17 11:17:55 | 显示全部楼层
降低电流,降低功耗的话,model知否准确? vth无法改变,而是vgs。整片wafer良率会低一些
发表于 2011-10-31 12:33:48 | 显示全部楼层
Which device you want to bias into weak inversion? I doubt anybody would liket to bias his pass element of an LDO into weak inversion due to the high output impedance of the device.
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条


小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-12-23 08:20 , Processed in 0.016294 second(s), 8 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表