原边反馈电源芯片中IP的测量方法探讨

cicer · 发表于 2010-10-28 23:02:52

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

x

各位做电源设计的朋友，

如果原边反馈的检流的电阻集成在芯片内，那IP在中测中怎么测试呢？怎么保证一致性呢

高手指点迷津多谢

cicer · 发表于 2010-11-2 23:18:03

没人遇到过这个问题吗

cicer · 发表于 2010-11-13 22:29:41

是做电源芯片设计的太少了还是没人愿意回答呢

yeshengseu · 发表于 2013-11-23 16:33:29

有做在片内的吗？一致性貌似无法保证吧，至少目前我见到的好像都是外置的采样电阻会影响恒流精度片内肯定要trimming了吧

simonjin · 发表于 2013-11-26 12:35:17

ACDC没做过，不好意思哦

andy2000a · 发表于 2013-11-27 10:52:45

本帖最后由 andy2000a 于 2013-11-27 10:59 编辑

芯片內電阻要流大電流吧  , 電阻只能 trim .
但是一般 Ac/DC  rcs=1 ohm , 光Bonding wire 20~50mOhm 就讓 RCS=1 ohm 是不可能達到 5% .原边反馈基本要求是 5% ..
原边反馈很多輕載都電壓飆高, 很多都加DUMMY LOAD
我只能說原边反馈  是LOW COST 省去 tl431  PC817 , 但不會比一般 Flyback 好太多.
原边反馈還有 dynamic response 問題和 transformer design issue , 繞不好問題會很多的
不過目前原边反馈是主流..很多廠商一頭熱下去 ..

Flyback 只要選低電流 TL431  PC817 不會比原边反馈差, 但是目前原边反馈是主流

先問下你們內包高壓MOS 嗎??有些內建高壓MOS , 我都懷疑是內建UHV PROCESS ??
還是外包一個 power MOS 在PACKAGE?

因為一般外放 mos  Id> 1A , 但是 700v switch MOS Ids 太小且 LDMOS 跟本無法和獨力 VMOS
  相比, 光 100ma 就可能 W > 1000um
如果使用 Ultra high volt process mos switch Id > 1A , 那要多大面積?

ultra high volt 拿來做論文 OK, 但實際量產除PI  還有那家真的是使用 UHV PROCESS ??
到底 Star up deletion mos 有看到內含高壓mos , 但是 size 也不小

另格熱門是拿原边反馈做 led lamp ..但是成本無法和阻容式比, 但是當LED燈價格濫到底後
  , 跟本沒有使用 IC 的LED燈能活下去 ..高端LED燈須要DIMMING  或無線調光會在,
低價全給阻容式殺光光 ..
我大膽猜 ..未來大廠會使用阻容式或非隔離 ,
隔離的LED 全都只有高端市場能活.  隔離的LED再省還是須要 transformer ..
反正大廠有能力說服執政, 至於至於 PFC  或效率..一般使用者日光燈都使用多少年?
會考慮這?? 現在日光燈含汞就沒被禁止 ?WHY ?? 因為廠商還沒出貨玩..

[讨论] 原边反馈电源芯片中IP的测量方法探讨

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

相关帖子

站长推荐 /2



EETOP诚邀模拟IC相关培训讲师	创芯人才网--重磅上线啦！