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[讨论] 原边反馈电源芯片中IP的测量方法探讨

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发表于 2010-10-28 23:02:52 | 显示全部楼层 |阅读模式

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各位做电源设计的朋友,

如果原边反馈的检流的电阻集成在芯片内,那IP在中测中怎么测试呢?怎么保证一致性呢

高手指点迷津 多谢
 楼主| 发表于 2010-11-2 23:18:03 | 显示全部楼层
没人遇到过这个问题吗
 楼主| 发表于 2010-11-13 22:29:41 | 显示全部楼层
是做电源芯片设计的太少了 还是没人愿意回答呢
发表于 2013-11-23 16:33:29 | 显示全部楼层
有做在片内的吗?一致性貌似无法保证吧,至少目前我见到的好像都是外置的 采样电阻会影响恒流精度 片内肯定要trimming了吧
发表于 2013-11-26 12:35:17 | 显示全部楼层
ACDC没做过,不好意思哦
发表于 2013-11-27 10:52:45 | 显示全部楼层
本帖最后由 andy2000a 于 2013-11-27 10:59 编辑

芯片內 電阻 要流大電流吧  , 電阻只能   trim .
但是一般 Ac/DC  rcs=1 ohm , 光Bonding wire   20~50mOhm 就讓 RCS=1 ohm 是不可能達到 5% .原边反馈基本要求是 5% ..
原边反馈 很多輕載都電壓飆高, 很多都加DUMMY LOAD  
我只能說原边反馈  是LOW COST 省去 tl431  PC817 , 但不會比一般 Flyback 好太多.
原边反馈還有 dynamic response 問題 和 transformer design issue , 繞不好問題會很多的
   不過目前 原边反馈是主流..很多廠商一頭熱下去 ..

Flyback 只要選低電流 TL431  PC817 不會比原边反馈差, 但是目前 原边反馈是主流

先問下你們內包高壓MOS 嗎??有些內建高壓MOS , 我都懷疑是內建UHV PROCESS ??
還是外包一個 power MOS 在PACKAGE?

因為一般外放 mos  Id> 1A , 但是 700v switch MOS Ids 太小且 LDMOS 跟本無法和 獨力 VMOS
  相比, 光 100ma 就可能 W > 1000um
如果使用 Ultra high volt process mos switch Id > 1A , 那要多大面積?

ultra high volt 拿來做論文 OK, 但實際量產除PI  還有那家真的是使用 UHV PROCESS ??
到底 Star up deletion mos 有看到內含高壓mos , 但是 size 也不小

另格熱門是拿 原边反馈做 led lamp ..但是 成本無法和阻容式比, 但是當LED燈價格濫到底 後
  , 跟本沒有使用 IC 的LED燈能活下去 ..高端LED燈須要DIMMING  或無線調光會在,
   低價全給阻容式殺光光 ..
我大膽猜 ..未來大廠會使用 阻容式或非隔離 ,  
隔離的LED 全都只有高端市場能活.  隔離的LED再省還是須要 transformer ..
反正大廠有能力說服執政, 至於 至於 PFC  或效率..一般使用者日光燈都使用多少年?
會考慮這??   現在日光燈含汞就沒被禁止 ?WHY ??   因為廠商還沒出貨玩..
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