请问NMOS的Gate Oxide击穿和Vgs耐压有什么区别？

qwertyIC · 发表于 2010-10-24 21:16:55

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

x

请赐教。

xxj281069558 · 发表于 2010-10-25 07:30:12

本帖最后由 xxj281069558 于 2010-10-25 07:31 编辑

这个倒没有深入研究过。。Vgs不一定是栅氧发生击穿的。。。。

fengluan · 发表于 2010-10-25 16:43:50

Gate Oxide 击穿一般是指gate和Bulk之间的吧。
如果bulk和source不是同一电位，就有了区别

funny2055 · 发表于 2010-11-1 07:10:48

我是初學者,沒有經驗,謝謝大大提供資訊,網路分享,迅速吸收,受用無窮

semico_ljj · 发表于 2010-11-1 08:40:37

击穿分软硬击穿！
耐压也分时间的，一般安全系数是 10年以上的

[求助] 请问NMOS的Gate Oxide击穿和Vgs耐压有什么区别？