tsmc工艺中硅化（silicide）和非硅化（unsilicide）多晶硅电阻，那种工艺偏差更小呢

chuntian101 · 发表于 2010-10-17 19:08:52

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

x

没用过tsmc工艺，求帮助

jerykot · 发表于 2010-10-17 19:51:43

非硅化电阻应该精度会高些

helianalog · 发表于 2010-10-18 14:08:03

《模拟集成电路与系统》，58页，
硅化多晶电阻，电阻精度 35%
非硅化多晶电阻，电阻精度 50%
阱电阻，电阻精度 50%~80%
搞不清楚这里的百分比是大些好还是小些好。

ghifi37 · 发表于 2010-10-19 11:45:25

楼上的百分比可能指误差

zjzhang1124 · 发表于 2010-10-19 12:02:09

求答案

BraveTiger · 发表于 2024-8-7 11:15:28

非硅化电阻；tsmc一般选用p+ poly resistor without silicide,这种电阻单位阻值较高，且温度系数相对较低，误差小，适用于BGR中

ZixunWang · 发表于 2024-9-6 23:17:28

非硅化（unsilicide）多晶硅电阻

[求助] tsmc工艺中硅化（silicide）和非硅化（unsilicide）多晶硅电阻，那种工艺偏差更小呢