兩年內全球將誕生150座新晶圓廠(2010.09.09)

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兩年內全球將誕生150座新晶圓廠(2010.09.09)来源：電子工程專輯首頁    作者：電子工程專輯    发布时间：2010-09-09 13:05    浏览量：6    國際半導體設備材料產業協會(SEMI)預測， 2010年全球晶圓廠前段製程設備支出規模，將較2009年成長133%，並在 2011年再度取得18%的成長率。而全球已建置晶圓廠產能，包括離散元件廠在內，估計在2010年成長7%，並在2011年將再成長8%。
    這份World Fab Forecast報告並預期， 2010年全球晶圓廠建設支出規模，將成長125%，2011年還將再成長22%。SEMI的數據指出，在2010與 2011年，將有超過150座晶圓廠興建計畫，總支出估計830億美元；該估計數字是根據各晶圓廠興建計畫與設備支出計畫所做成，追蹤對象涵蓋大/小產能晶圓廠，以及生產微機電系統(MEMS)、 LED 、離散元件的晶圓廠。
    該報告指出，在2010年總計有54個晶圓廠興建計畫正在進行，建設支出總計在45億美元左右；在這些計畫中，有五成是LED晶圓廠，而且大部分位於中國。將在2011年執行的晶圓廠興建計畫雖然較少，但規模卻比較大，建設支出總計約55億美元。
    SEMI估計，2010年全球半導體設備支出將成長133%，達到340億美元規模；而在2008年，全球半導體設備支出則是成長27%。該協會並預測2011年全球半導體設備支出將再成長18%，達到390億美元的規模，超越2007年的水準。
    至於在2010年開始營運的晶圓廠數量大約為22座，其中也有超過五成都是 LED廠；另外明年則預計有28座晶圓廠即將開張，包括4座記憶體廠。到2010年底，全球已建置晶圓產能(不包括離散元件)，估計達到每月1,440萬片8吋約當晶圓，2010年該數字則可望成長8%，來到每月1,580萬8吋約當晶圓。
    SEMI指出，記憶體廠是佔據全球已建置晶圓產能的最大宗，所佔比例在2010與2011年約為41%；晶圓代工廠則居次，所佔據比例將由2009年的24%，在2011年成長到26%左右

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