在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
12
返回列表 发新帖
楼主: Brock

[求助] 0.13um工艺下一个MOS 开关管导通电阻大概是多少?

[复制链接]
发表于 2012-11-28 17:00:37 | 显示全部楼层
回复 3# dylan_uestc


   为什么使用boostraped可以使Ron稳定??不是使得Ron减小吗???
发表于 2012-11-28 23:01:51 | 显示全部楼层
bootstrap应该是使得Vgs保持恒定,从而近似认为I不变,从而ron不变(如有不对,请指教)。想的到Ron,最好是自己仿下,不同的管子不一样的。
发表于 2013-2-26 23:11:37 | 显示全部楼层
很不错的哦,好好研究一下,多谢啦!
发表于 2013-2-27 13:08:50 | 显示全部楼层
W/L是1比1时,大约是kohm量级,这个跟电源电压关系也很大。
发表于 2013-4-8 17:38:30 | 显示全部楼层
好好研究一下,谢谢啦
发表于 2014-5-14 10:51:49 | 显示全部楼层
W/L  和    Vgs  有关
发表于 2015-3-18 20:56:49 | 显示全部楼层
与宽长比有关,老化对其也有影响。
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /1 下一条

小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-9-29 07:23 , Processed in 0.017228 second(s), 6 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表