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[求助] 深三极管区的MOS管做电阻时,怎样从工艺和电路设计上提高电阻精度?

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发表于 2010-8-19 19:19:01 | 显示全部楼层 |阅读模式

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RT,谢谢指点~~
发表于 2010-8-19 19:56:55 | 显示全部楼层
这种管子受衬底波动较大,要精确必须该管附近加衬偏接触;其次,其宽w大于宽度误差dw十倍,长也是如此。栅源电压也需要精确一点,但最关键是该电阻受工艺影响太大,不能够精确的计算出电阻值。电路中我见到的一般是在启动电路中,其他地方很少用到。
发表于 2010-8-19 20:44:01 | 显示全部楼层
除非两个匹配的MOS管电阻可以把匹配度做得精确,如果想把单个MOS管电阻的绝对精度作准那就太违反Rubost设计了。
发表于 2010-8-19 20:46:29 | 显示全部楼层
ls的说的很有道理,多在启动电路中或是需要一个较大阻值但不要求精确值的地方
 楼主| 发表于 2010-8-19 21:44:02 | 显示全部楼层
非常感谢楼上各位的指点~~
发表于 2010-8-21 17:43:02 | 显示全部楼层
实际应用当中,为了防止电阻在温度变化时变化,有没有采用正负温度系数一起设计的电路呢
发表于 2015-5-18 21:27:00 | 显示全部楼层
有没有关于用mos管做电阻,计算阻值的相关书籍?
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