N沟道MOSFET概述

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N沟道MOSFET概述
N沟道MOSFET有三个电极，分别是源极S、漏极D和栅极G。当VGS=0时，漏、源极之间无原始导电沟道，ID=0；当VGS>0但是比较小时，漏、源极之间也无导电沟道。当VGS>VGS(th)，
在D和S之间加正电压，就会产生漏极电流ID，ID将随VGS的增加而增大。
用MOSFET作为开关应用时，可以用图1中的模型来分析，当G、S极电压为零时，D、S不导通，相当于开路。当栅极电压为10V，源极电压为0V时，就有电流ID流过漏、源极，漏极和
源极之间处于导通状态。MOSFET内部漏极、源极之间有一个寄生的反向二极管。该二极管在电路图中常常未被标出，当MOSFET处于关断状态，如漏源极有负向电压时，
二极管可能会导通，在设计时要注意这一点。
RTR025P02TL
RTQ030P02TR
RTL030P02TR
RTQ035P02TR
RTL035N03TR
RSR025N03TL
RSM002P03T2L
RSS090P03TB
RSX101VA-30TR
2SK3018T106
2SK3019TL
2SK3541T2L
2SK3065T100
RK7002T116
RR255M-400TR
RHP020N06T100
RHU002N06T106

RTL035N03TR
制造商:  ROHM Semiconductor   

产品种类:  MOSFET Small Signal   

RoHS:   详细信息   

配置:  Single Quad Drain   

晶体管极性:  N-Channel   

封装 / 箱体:  TUMT6   

电阻汲极/源极 RDS（导通）:  0.56 Ohms   

汲极/源极击穿电压:  30 V   

闸/源击穿电压:  12 V   

漏极连续电流:  3.5 A   

功率耗散:  1 W   

封装:  Reel

sohugu

不要概述，来个详细的吧，比如讲讲mos管各个脚之间有分布电容，这些分布参数对于应用会有什么影响等，谁又相关的资料，给大家贴出来哈。

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