LDMOS功率放大器的温度特性及温补电路设计

啊小罗 · 发表于 2010-5-26 14:57:18

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LDMOS管是专为射频功率放
大器设计的改进型n沟道M0SFET，
常工作在AB类，在工作点附近具有
正的温度特性，即在一定的栅压
下，当工作温度升高时，其静态电
流IDo升高；当工作温度降低时，IDo
降低。一般地，当LDMOS管热沉
温度从20~C升高到IO0~C时，其静
态工作电流ID0变化140％；当温度
降低至01Z时，变化量也有30％。ID0
变化会影响系统的增益、效率和线
性等指标，其中又以线性影响最
大。因此，在工作中维持功率管(特
别是大功率管)I。Q恒定，是功放板
设计的关键点之一。

RF0907013--LDMOS功率放大器的温度特性及温补电路设计.pdf (2.83 MB, 下载次数: 564 )

time_youth · 发表于 2010-5-31 15:11:08

楼主，你太好了，找这东东好久了

啊小罗 · 发表于 2010-6-11 14:36:50

2# time_youth 能帮助到你很高兴

bidty · 发表于 2010-6-11 15:01:45

XIEXIE

houdh2121 · 发表于 2010-6-13 14:50:57

ddddddddddddddddddddddddddddddd

lu123 · 发表于 2010-6-13 18:12:38

dddddddddddddddddddd

alien1982 · 发表于 2010-6-18 01:02:04

goooodd

alien1982 · 发表于 2010-6-18 01:06:39

kkkkkkkkkkkk

fengyi0000 · 发表于 2010-9-8 10:11:56

下来看看，很需要

toj · 发表于 2010-10-19 23:28:48

非常感谢之

[资料] LDMOS功率放大器的温度特性及温补电路设计

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