tcad ise 收敛性

todkee · 发表于 2010-5-13 14:04:58

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我初学ISE，做毕业设计，好不容易画好一个器件，仿真总是不收敛，想请各位问高手，ISE仿真收敛性与什么因素有关？
我仿的是一个很简单的nmos ，SiO2厚度为2nm ，drain加3V电压，gate电压从0变到3V，物理模型只加了迁移率模型Mobility( DopingDep HighFieldsat Enormal ) （怕不收敛才只加一个模型，结果还是不收敛...）

zhouguodan · 发表于 2010-12-1 11:30:14

帮你顶一下，我做二极管击穿仿真，折腾了好久，就是不收敛

！请教高手指点一下！网格该怎么划，solve里面的步长该怎么设定？

xidianhjh · 发表于 2010-12-10 11:46:41

收敛性是一个头疼的问题我在做击穿仿真时通常设置一些终止条件比如说达到临界击穿电场强度反向漏电流的大小等等通常不收敛发生击穿点的附近！
这是我个人的看法希望高人批评和指正！

tcad ise 收敛性

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