关于亚阈值区电流公式的问题！

ws_hyk · 发表于 2010-9-28 00:08:23

个人认为是公式2更恰当一点。
这个表达式主要对工作在亚阈值区（弱反型区）的MOS管的漏电流进行建模。若用公式1来建模，则在亚阈值区，VDS不变的情况下，一般有VGS-VTH<0，由此可得出漏电流随着VGS的减小而加大，这显然和实际的漏电流变化规律不符合。

liuhe19821115 · 发表于 2010-10-27 17:38:40

楼上说的有道理

daxuefeiyang · 发表于 2010-10-27 19:51:31

good. thanks.

daxuefeiyang · 发表于 2010-10-27 19:57:40

很好的资料，good

hmmq · 发表于 2010-10-27 20:33:59

看看啊，呵呵

zh_xiaoju · 发表于 2010-11-24 09:30:42

第二个，亚阈区就是还没到阈值电压，公式一会出现负项。

badmintonor · 发表于 2010-12-4 13:33:58

如何It与vth无关的话，应该是公式1
因为subthreshold的界定是根据vth来的

crown911 · 发表于 2010-12-8 16:00:59

学习一下

rocflying · 发表于 2010-12-11 17:05:18

居然有这种事情

sujh010 · 发表于 2011-3-11 11:53:32

关注，关注！

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