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零极点及各管子寄生参数的估算及仿真问题

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发表于 2009-8-17 00:03:33 | 显示全部楼层 |阅读模式

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有没有高手告知一下,在设计出来的电路比如一个简单的两级CMOS运放电路中,如何估算各个管子各个节点的电容和电阻值,从而估算出零极点?或者这些参数值只能通过仿真才能得到?我用过cadence软件仿真,出来波形后查看仿真参数,在OP项中有各个管子的Cgs、Cds、Cdb等等以及gm、gmbs、gds等值,不知道这些值具体的含义和具体怎么用于计算和估算,望高手能详细赐教。
发表于 2009-8-17 09:47:44 | 显示全部楼层
根据MOS管的状态和公式可以估算出来的。
我曾经算过,和软件的结果相比,误差在15%以内
发表于 2009-8-17 14:32:14 | 显示全部楼层
在我的印象中,Allen那本书上有比较详细的例子,自己去找书看看萨
发表于 2009-8-17 19:52:17 | 显示全部楼层
我也是新手 学着仿放大器的零极点和其他参数 做下的仿真报告 你可以参考下 另外你提到的那些参数和书上基本一样 看下书就知道了
希望能对你有些帮助 主要是动手去仿才能明白。
估算可以用拉扎韦的 每个节点产生一个极点那部分

[ 本帖最后由 richie100 于 2009-8-17 19:57 编辑 ]

运算放大器的测量和仿真.rar

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发表于 2009-9-22 16:15:43 | 显示全部楼层
谢谢分享!!
发表于 2009-9-22 17:30:35 | 显示全部楼层
动手去仿才能明白
发表于 2009-9-23 23:48:49 | 显示全部楼层
thanks for sharing
发表于 2009-9-24 18:02:56 | 显示全部楼层
把拉扎维的第六章好好看一下。
发表于 2009-9-28 19:09:13 | 显示全部楼层
我也在分析,看看
发表于 2009-9-28 20:23:02 | 显示全部楼层
zzzzzzzzzzzzzzzzzzzzzzzzzzzzz
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