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求IEEE论文两篇!

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发表于 2009-3-22 21:56:55 | 显示全部楼层 |阅读模式

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Sun S C,Plummer J D.
  "Electron mobility in inversion and accumulation layers on thermally
oxidized silicon suface[J].
"
IEEE Transactions on Electorn Devices,1980,27:1497一1508

AND:

Wang C T. Navon D H.
"Threshold and punchthrough behavior of laterally nonuniformly doped short
channel MOSFET’s[J].
"
IEEE Transactions on Electron Devices,1983,30(7):776


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