请教一下有关N阱中NMOS的工艺

rainheart · 发表于 2009-2-6 02:20:06

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有哪位大虾可以简单说说这种工艺和一般的NMOS/PMOS相比有啥特点

rainheart · 发表于 2009-2-6 19:11:15

zi ji ding

darius · 发表于 2009-2-9 02:06:12

guan zhu zhong

intercon · 发表于 2009-2-15 22:17:22

A-MOS管使用的就是这种工艺，不过我没用过

lovexxnu · 发表于 2009-2-16 10:57:42

衬底不受限制

standup · 发表于 2009-2-17 16:22:20

在p衬底标准工艺中，只有pmos的源和衬底可以接在一起，nmos因为其衬底就是芯片的衬底，只能接到gnd或者最低电位上。若是有了深Nwell，再在里面做pwell，nmos的B和S可以接到一起了，减少衬偏效应的影响

rainheart · 发表于 2009-2-17 21:11:39

谢楼上解答，不过你可能误解我的意思，我说的N well NMOS 工艺是指在N well 中用N diffusion 代替 P diffusion的一种管子，我对它不熟悉，所以请教大家

rainheart · 发表于 2009-2-19 19:47:08

zai ding

nesta · 发表于 2009-2-20 10:40:51

nmos in nwell叫varactor
一般用作变容器
这种器件不存在反型区
受VG影响电容在某一段范围内能展现出接近线性的特点
很适合用在vco中
可以参考razavi相关paper

rainheart · 发表于 2009-2-20 18:26:23

哦，用N diffusion代替N well 中的P diffusion ，这样就保证其始终处于积累区而不会反型，这个办法真绝了，呵呵，不过好像这种工艺比较特殊，很多代工厂不提供

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