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EETOP诚邀模拟IC相关培训讲师 创芯人才网--重磅上线啦!
查看: 3520|回复: 6

关于开关管对于EMI的影响

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发表于 2008-12-16 20:23:15 | 显示全部楼层 |阅读模式

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我是个初学者,求教高人,都说开关管冲放电斜率越大(即冲放电越快)产生EMI的尖峰越突出,这到底是为什么呢?能不能推荐一些文章或是参考资料?小弟我这几日寝食难安,网上也啥资料找不到,国外的相关文章也很少有讲,真是急死了,在此拜谢!!
发表于 2008-12-21 15:10:05 | 显示全部楼层
me too
头像被屏蔽
发表于 2009-1-6 03:40:17 | 显示全部楼层
提示: 作者被禁止或删除 内容自动屏蔽
发表于 2009-2-13 14:15:28 | 显示全部楼层
以前上EMC/SI课的时候有讲过原理,不过忘得差不多了
有这么两本书可能有用:
Introduction to Electromagnetic Compatibility
Digital Signal Integrity
不过都是上百刀的书,买不起。。。
发表于 2009-4-18 20:24:56 | 显示全部楼层
求解中、、、
发表于 2010-5-10 11:25:11 | 显示全部楼层
对电路或电器设备造成严重干扰的,主要是不断变化着的电场或磁场。即:i = C●dv/dt(1) 、e = M●di/dt (2)。(1)式中,i是表示干扰电流,C为电容,或电荷感应系数,dv/dt为电压变化率;(2)式中,e是表示干扰电动势,M为磁互感系数,或磁感应系数,di/dt为电流变化率。
发表于 2010-5-14 15:45:02 | 显示全部楼层
买书要花很多钱啊!!!
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