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ESD问题

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发表于 2008-6-30 21:59:35 | 显示全部楼层 |阅读模式

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问一下RF达人,是不是RF产品比较容易遭遇ESD的问题?那是为什么?
发表于 2008-7-3 22:03:22 | 显示全部楼层
是啊,因为有静电放电,所以容易损坏芯片
发表于 2008-7-5 09:33:25 | 显示全部楼层
可以看看柯明道的 课件,讲的很基本的
发表于 2008-7-6 09:25:09 | 显示全部楼层
LNA的输入端需要小的寄生电阻,否则影响GAIN,
但小的输入电阻和ESD的要求矛盾,所以RF的ESD不好做.
发表于 2008-8-18 00:44:32 | 显示全部楼层

ESD也与电压有关,使用的场合以及工艺得出有关

ESD也与电压有关,使用的场合以及工艺得出有关
头像被屏蔽
发表于 2008-8-18 11:05:58 | 显示全部楼层
提示: 作者被禁止或删除 内容自动屏蔽
发表于 2008-8-22 18:34:40 | 显示全部楼层
我是这样理解的:

射频的输入端口,一般会有电容,电感,电阻串联在PAD上,

从而让这些器件直接暴露在ESD脉冲下;

特别是电容,由于栅氧厚度,更易造成击穿;

所以这些器件的ESD能力,就限制了RF PAD的ESD能力
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