cmos图像传感器中采用pinned二极管如何减小暗电流

abbot_1860 · 发表于 2008-5-30 22:00:06

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为什么这种结构可以减少暗电流呢？

abbot_1860 · 发表于 2008-6-1 11:25:06

没人做过图像传感器吗？

jianbinma · 发表于 2010-3-5 21:35:11

这个确实是个很专业的问题，而且应该是工艺工程师的问题，大多数都只是做电路设计，对工艺的了解就很浅了

lynker · 发表于 2010-3-11 11:44:37

减小周长，削弱光电管侧边的漏电流。这是版图设计可实现的。
表面暗电流，和杂质缺陷有关，工艺影响较大。
PN结结区的反向漏电流，这个看看器件知识应该能找到答案。

yujunting · 发表于 2010-5-14 19:26:36

从电势与耗尽层的角度考虑。

shangyouqiang · 发表于 2010-5-14 19:38:24

我是做应用的，CMOS 的成像品质与工艺很大的关系，听说 CANNON 高端是采用 GAAS 工艺。

这是听说。

shangyouqiang · 发表于 2010-5-14 19:40:13

突然有感：

看来如果认真的做某件事真的需要潜心研究里面的来龙去脉的。
我现在很遗憾的

schubert · 发表于 2010-7-1 23:47:25

一般来说pn结表面如果没有pin层, 硅和氧化硅的接触面有较多的interface states. 这些缺陷会在硅能带中制造一个中间态,使电子更容易激发生成暗电流.

jennyli811 · 发表于 2010-7-6 21:28:59

学了很多,谢谢!

gaki · 发表于 2010-8-10 22:35:52

啊啊啊、、、、怎么没有这方面的文章喃？

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