解决碳化硅（SiC）测量问题_台阶仪

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这几年大家谈论最多的莫过于“第三代半导体”——SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）。我们都在谈论宽禁带材料带来的高耐压、高频性能。但对于身处Fab厂一线工艺或从事量测设备的工程师来说，材料属性的变化，往往意味着新的工艺挑战。比如，SiC非常硬，莫氏硬度非常高；同时它又是透明的，且往往生长在异质衬底上。传统的测量逻辑在这里经常行不通。
当摩尔定律的战场转移到微观结构的“纵深”和“新材料”上，我们的测量工具在如何升级？

对于金属、介电材料的薄膜厚度测量，光学测量的光信号容易产生穿透和干涉。
而NS系列台阶仪的逻辑很直接：它不依赖材料的光学特性，而是利用探针物理接触表面。这种方式能精准描绘出每一处薄膜台阶，将不可见的微观起伏转化为可靠的数据。

很多人听到“接触式”，下意识会问：“现在的线宽这么窄，光刻胶这么软，接触测量会不会划伤晶圆？”这确实是早期设备的痛点。但现代台阶仪配备了超微力恒力传感器，能将测力控制在0.5mg这种微小的量级。

做一个直观对比：一只蚊子的重量大约是2mg。这意味着探针划过晶圆表面的力量，仅为一只蚊子重量的四分之一。这种“举重若轻”的控制力，使得我们在量测抗蚀剂（光刻胶）厚度来评估蚀刻工艺性能时，既拿到了微观轮廓数据，又实现了真正的无损探测。