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shr673699231 发表于 2022-1-14 15:12 你把两个手册的NF对比一下就知道了,好一点的sige工艺可以做到0.4dB CMOS可以做到0.6dB,但是做到极致的时 ...
orientview 发表于 2022-1-14 15:39 谢谢!
shr673699231 发表于 2022-1-14 18:09 就传统的cascode结构。。。外置高Q值电感
orientview 发表于 2022-1-15 17:08 那cmos LNA的外置电感,岂不是需要两个? 一个是cascode结构需要的,还有一个,是input matching需要的 ...
522526tl 发表于 2022-2-21 17:46 一个就行啊,就输入的Lg电感,Ls跟Ld片上实现,1GHz以下做到.18工艺还是很容易做到0.6~0.8dB的 ...
orientview 发表于 2022-2-22 09:26 P1dB,OIP3,这些指标,cmos LNA可以赶上GaAs LNA吗?
522526tl 发表于 2022-2-22 17:48 CMOS的赶不上,GaAs即使Lg做到片内,NF都很好,他的高阻衬底使得他的无源器件Q值都很高,而且GaAs本身耐 ...
orientview 发表于 2022-2-22 18:26 那有啥办法来改善cmos LNA的线性度呢?
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