版图大工艺经验和小工艺经验到底有什么不一样呀

JTWu

现在在做180和110nm的项目，都说做小工艺好，但是这里面的区别到底是什么呀，有没有都做过的指点一下

长歌

我个人感觉都差不多

墨染-001

   

着着着火了 发表于 2023-10-20 17:15
做过12nm、16nm、22nm、28nm、60nm、0.18um、0.25um、0.5um、1um等的工艺，虽然纳米级别的要考虑很多二级效 ...

你是外包吗做过这么多工艺

胡小辰

小工艺更考虑LOD WPE OSE，后仿出来的结果可能和前仿差距较大，所以要经过很多版迭代。导致通常第一版时自评有95分，但是改版到最后就会觉得差点意思。认为做finfet要有较强阅读DESIGN RULE的能力，特别是4/5 2/3nm。同时，也和大工艺一样需要经验沉淀，才能满足前端速度快，寄生小，电容匹配的各种要求。

Hankiny

我的建议是还得练

jueduilk

   

이지은 发表于 2023-10-20 13:48
什么90以上以下，不是finfet都不配叫小工艺，全是平面工艺能差别到哪去，无非就是DRC多一些，器件结构全都 ...

这个回答真是眼高于顶啊。。。

FOREVER10

   

着着着火了 发表于 2023-10-20 17:15
做过12nm、16nm、22nm、28nm、60nm、0.18um、0.25um、0.5um、1um等的工艺，虽然纳米级别的要考虑很多二级效 ...

非常同意
越小越死板。
layout角度的技术和技巧巅峰，是55nm。管子可以任意转向，且layer层次也不少。
同样的东西，有的人可以画的很小，有的人就画的很大。floorplan 可以非常灵活，体现不同人的水平。
到了finfet，简直就是八股文，棋盘格，一个一个放，越来越像pr的standcell placement。就是DRC多了很多，都是体力活。

我真觉得

40nm 55nm 需要本科来做layout
finfet 找大专生就可以了

FOREVER10

90  110  130   一个系列
65  55 40 一个系列
28  22 一个系列

finfet 一个系列

简单的说，不同的系列，要求不一样。 当然越小的工艺，layer层次会多很多。
比如55nm 以下，基本 sub最好要围城ring，单条断开的ring不是最好的方案了，而90nm以上，哪怕一个sub contact都可以接受。
比如28nm以下 基本不接受 mos管转方向，基本所有的Mos都需要poly dummy

Jingle敬

小工艺尤其是finfet在布局上要考虑很多二级效应如WPE LOD 重要需要匹配的器件通常要加dum。更多的考虑是性能而不是面积（相对来说）匹配性要求更高 通常来说一排管子都需要merge OD来保证其匹配性，net不同导致不能merge的需要自己手动加dum。连线方面，有 double pattern，需要注意更多的rule。由于double pattern的金属寄生电阻很大，在长距离走线时候应尽量避免。一般地在模拟模块比如一组电流镜从M0叠到M3或M4然后在去用更高层金属走线。

78669809

你说的小工艺应该指的是finfet