这个结构会因为天线效应而击穿吗？

pigintree · 发表于 2013-9-25 15:57:05

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本帖最后由 pigintree 于 2013-9-25 16:47 编辑

一般说天线效应击穿好像都是针对MOS管的栅极，想问一下下面的二极管和MOS有源区会击穿吗
I/O端接的金属2铝面积非常大（大概10000um^2，工艺是2层金属）,芯片加工时或使用时会因为金属积累的电荷而击穿失效吗？小弟多谢~

截图01.jpg

还有，对于接到Gate上的大面积metal，将metal中间断开再用poly电阻做跳线可以消除天线效应吗，如图：
截图02.jpg

semico_ljj · 发表于 2015-9-25 22:45:26

学习。。

xiuqi180 · 发表于 2015-9-25 17:27:44

学习了。。。。。

蓝风紫心 · 发表于 2015-9-24 10:30:14

这样做不是不行，要视情况而定。如果这个poly电阻放在靠近MOS管的Gate端，长度为L2，这样将连接到Gate的大面积的metal分成2段（L1+L3，L1接MOS管poly）。如果L2>>L1/L3，或者L2长度与L1、L3相当的话，这样靠近MOS管的metal长度L1就很短，metal上面积累的电荷就很少，就不会将gate oxide层击穿，天线效应也就没有了。如果L2<<L1/L3，这样靠近MOS管的metal长度L1就很大，metal上面积累的电荷就很多，就会将gate oxide层击穿，天线效应就没有消除。

pigintree · 发表于 2013-9-26 15:15:21

回复 10# bluesmaster

求指教~
什么地方没说清楚？
失效问题我刚接触，很多还不懂

bluesmaster · 发表于 2013-9-26 14:11:26

写的太浅显,啥都说了,啥都没说

pigintree · 发表于 2013-9-26 10:42:25

回复 8# microstudent

谢谢，再次感谢

microstudent · 发表于 2013-9-26 10:34:56

回复 7# pigintree

我觉得metal上有esd就应该不会有esd的问题了。antenna effect 更多的是在加工过程中dry etching积累电荷对gate的影响。

pigintree · 发表于 2013-9-26 10:21:33

本帖最后由 pigintree 于 2013-9-26 10:28 编辑

回复 6# microstudent

谢谢谢谢！
我又有一个新问题，如果我对芯片做FIB，剖片后这个连到gate上的大面积metal暴露在空气中，会不会积累空气中的静电导致gate击穿？？（metal上接了ESD）

microstudent · 发表于 2013-9-26 09:21:54

回复 3# pigintree

解决天线效应把金属走线跳到最顶层再下来（前提是在这个信号线上只有这一块顶层金属），或者在走线上加一个反偏的diode

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