什么叫做阱偏效应，如何解释？

le_levi · 发表于 2012-7-18 10:49:54

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很想知道什么叫做阱偏效应，也即是WPE（well proximity effect），如何解释？曾经在40nm的TSMC工艺中遇到这个问题，一直不明白这究竟是怎么回事？
请大家给予解释，讲解一下原理，谢谢！
除此还有LOD（length of the OD region），OSE（OD space effect），PSE（poly space effect）等解释及原理。

小纯洁 · 发表于 2022-9-26 10:07:42

yiweikun 发表于 2018-4-2 15:03
借用别处下载的资料可以解释你的问题

感谢

xuhaofeng · 发表于 2022-9-26 10:00:06

学习

hxy328126243 · 发表于 2022-9-23 15:28:42

lc137615061 发表于 2017-11-22 15:53
回复 1# le_levi 这个？

这篇文章在哪下载呢？麻烦帮忙上传下链接非常感谢

换乘月亮船 · 发表于 2022-1-11 10:00:48

谢谢

zhizhuozxd · 发表于 2022-1-7 17:51:36

yiweikun 发表于 2018-4-2 15:03
借用别处下载的资料可以解释你的问题

请问一下什么叫IP模块？

xdgua · 发表于 2021-11-2 13:07:42

我在65nm工艺里遇到过，MOS管的OD到阱边缘有最小间距要求，最特别的要求对称

onece · 发表于 2021-11-2 10:27:01

感謝大大的分享

张尹呈 · 发表于 2021-8-19 17:23:22

yiweikun 发表于 2018-4-2 15:03
借用别处下载的资料可以解释你的问题

ganxie

alice7caoqing · 发表于 2021-5-26 17:25:59

很好的话题，感谢各位分享

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