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[求助] 电容仿真式采样保持电路开关问题

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发表于 昨天 23:25 | 显示全部楼层 |阅读模式

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我需要设计一个12位,200MSPS,电源电压1.8V,单端输入摆幅为0.35V的采样保持电路,采用电容翻转式结构

运放结构使用折叠共源共栅gainboosting,stb分析如下图(运放负载电容6pF,其中2pF给后级电路,4pF作为采样电容Cs)
pERoE9J.png
pERoV39.png
增益85dB,带宽1.6G
单独仿真栅压自举开关(输入信号频率99.8M,时钟频率200M,单独输入摆幅350mV,共模电平0.9V,负载电容4pF):

                               
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FFT结果:
pERoKHK.png
使用理想开关+运放进行采样仿真:
pERo89H.png
输入信号99.8M
pERoG3d.png
FFT:
pERoJgA.md.png
到这里,我认为单独运放和单独栅压自举开关仿真都能满足指标,故我将他们拼在一起:
pERoUDP.png
输入信号9.96M
pERoaHf.png
图片3.png
FFT只有8位精度了,请问这是为什么呢
图片1.png
图片2.png
发表于 16 小时前 来自手机 | 显示全部楼层
建议你先单测自举开关跟TG。 还有你的clk 是否有加上delay 减少charge injection 的影响。
 楼主| 发表于 7 小时前 | 显示全部楼层


why944 发表于 2025-4-13 06:28
建议你先单测自举开关跟TG。 还有你的clk 是否有加上delay 减少charge injection 的影响。 ...


TG是指SC-CMFB里面的吗?栅压自举开关我看了,确实我的尺寸设计的比较小,delay很大,好像因为非交叠时间太短导致了时序错误
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