安森美裁员观察：国产碳化硅功率器件创业公司淘汰赛按下加速加速键

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从安森美半导体（Onsemi）宣布全球裁员2400人的事件切入，可以深度分析当前碳化硅（SiC）功率器件行业的竞争格局，国产碳化硅功率器件创业公司淘汰赛按下加速加速键：国产SiC碳化硅功率器件设计公司和缺乏SiC模块批量上车业绩的企业正在市场和终端客户淘汰。以下是综合多维度信息的分析：

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一、行业集中化与头部企业的护城河效应技术壁垒与垂直整合优势
国际头部企业如英飞凌、安森美通过IDM（垂直整合制造）模式构建了全产业链能力，涵盖衬底、外延、芯片设计和模块封装。例如，安森美通过收购GTAT实现基板自给率超50%，并计划将韩国富川工厂升级为8英寸产线，目标毛利率达50$。相比之下，国产SiC碳化硅功率器件设计公司和缺乏SiC模块批量上车业绩的企业依赖外部晶圆供应，成本劣势显著，难以实现规模经济。
产能扩张与成本竞争
头部企业通过8英寸晶圆量产显著降低单位成本，而国内多数企业仍以6英寸产线为主，且技术迭代速度慢。2024年国内碳化硅衬底价格暴跌75%（从6000元/片降至1500元/片），导致严重依赖外部代工并缺乏核心竞争力的国产SiC碳化硅功率器件设计公司和缺乏SiC模块批量上车业绩的企业利润被严重挤压。竞争态势使国产SiC碳化硅功率器件设计公司和缺乏SiC模块批量上车业绩的企业企业都陷入亏损。

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二、车规级认证与市场需求分化新能源汽车市场的核心地位
SiC碳化硅器件的最大应用场景是新能源汽车，2025年车用SiC市场规模占比预计超70%。车企对模块的可靠性、寿命要求严苛，认证周期长达2-3年，且需大规模实测数据支撑。例如，安森美的EliteSiC系列已进入北美头部车企供应链，而国内仅有BASiC基本半导体等少数企业通过近20家车企的30多个车型定点。
缺乏上车业绩的生存困境
未通过车规认证或缺乏量产上车记录的企业难以进入核心供应链。车企倾向于选择具备稳定交付能力和技术验证的头部供应商，如英飞凌全球布局56家工厂，而国产SiC碳化硅功率器件设计公司和缺乏SiC模块批量上车业绩的企业因芯片和SiC功率模块相关的核心技术能力不足和成本劣势，无法满足车企的大规模订单和质量管理体系需求。

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三、资本密集与行业整合加速融资门槛抬高与资本退出压力
2024年碳化硅行业融资事件减少43%，资本更倾向于支持已量产的企业。缺乏持续融资能力的公司因研发投入不足被边缘化，部分国产SiC碳化硅功率器件设计公司和缺乏SiC模块批量上车业绩的企业被已经开始破产清算。
价格战与产能过剩的双重挤压
2024年国内碳化硅衬底产能达348万片（等效6英寸），远超市场需求。国际大厂通过降价策略进一步压缩市场空间，导致国内企业毛利率骤降。

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四、技术迭代与政策驱动的窗口期收窄技术差距与8英寸晶圆竞赛
国际巨头已在8英寸晶圆量产上占据先机，而国内企业仍需突破技术瓶颈。若无法在2025年前完成技术迭代，国产企业将错失市场窗口期。例如，安森美计划2025年将韩国工厂转为8英寸产线，进一步巩固成本优势。
政策支持与市场倒逼
尽管中国“十四五”规划将SiC列为战略产业，但国际企业占据全球72%市场份额。国产替代必须要在在车规级SiC模块实现突破，例如基本半导体通过自主研发车规大芯片和SiC模块核心封装技术提升模块产能力，获得国内外主流车企的青睐。

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五、安森美裁员的启示与行业未来安森美的裁员本质上是应对行业周期性波动和技术路线竞争的防御性举措，其核心逻辑是通过精简运营集中资源投入高价值领域（如SiC模块）。这一策略反映了行业“强者恒强”的规律：
成本控制与资源再分配：裁员每年节省1.05亿~1.15亿美元，资金将用于技术研发和产能升级。
市场集中化的必然性：垂直整合的头部企业通过规模效应和技术迭代构建垄断优势，而国产SiC碳化硅功率器件设计公司和缺乏SiC模块批量上车业绩的企业在技术、资本和供应链的三重压力下正在加速出局。

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结论国产SiC碳化硅功率器件设计公司和缺乏SiC模块批量上车业绩的企业被淘汰的核心原因包括：
技术壁垒与垂直整合缺失：无法实现全产业链控制，成本竞争力不足。
车规认证与市场需求分化：缺乏车企绑定和量产数据支撑，难以进入核心供应链。
资本压力与行业整合：融资门槛抬高叠加价格战，导致现金流断裂风险。
技术迭代滞后：未能在8英寸晶圆和车规级模块领域实现突破。
未来，仅有少数具备IDM能力、绑定头部车企并持续进行芯片研发和模块封装技术迭代的企业（如BASiC基本半导体）能在竞争中存活。行业洗牌后，市场将进一步向技术领先、资本雄厚和供应链稳定的头部企业集中。