TSMC180BCD版图DRC错误HVLUP.R.10

vanquish_016 · 发表于 7 天前

使用TSMC180BCD工艺，制作高压PAD时遇到这个报错该如何解决，诚心求教！！！

HVLUP.R.10_11 { @ HVNMOS/HVESD BJT connected to I/O pads except high/low side I/O HVNMOS/HVESD BJT is not defined in DRM
@ please consult TSMC for usage
HV_POST_DRIVER_NACT NOT POST_DRIVER_ACT_HVN_LS_HS
}

使用的HVESD BJT是库中的pdio_esd_ga_nbl_24_v2_3t;这个错误一直都消不掉，真诚求助！！！

vanquish_016 · 发表于 7 天前

已解决：
TSMC180BCD版图DRC错误HVLUP.R.10 - Layout讨论区 - EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网) -

[求助] TSMC180BCD版图DRC错误HVLUP.R.10

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