NMOS交叉对的VCO

wangxiangjun · 发表于 2024-10-29 12:13:46

NMOS交叉对的VCO，交叉对的两个NMOS管子用的是1.1V的mos管，振荡后的交流电以1.1V为中心基准，上下振荡，最高电平达2.2V。
问题：对于这种NMOS交叉对的VCO，2.2V的交流电平会不会把1.1V的交叉对的NMOS管击穿，另请说明下，具体的原因。

hzt_0401 · 发表于 2024-11-6 10:51:45

1.1V应该是指MOS的DC耐压，PDK文档里面应该有说他的交流耐压，包括RMS和PP，一般是比DC耐压高的。

wangxiangjun · 发表于 2024-11-6 15:18:12

hzt_0401 发表于 2024-11-6 10:51
1.1V应该是指MOS的DC耐压，PDK文档里面应该有说他的交流耐压，包括RMS和PP，一般是比DC耐压高的。 ...

请问下对于SMIC工艺，又说交流耐压的PDK文档名字叫什么

hzt_0401 · 发表于 2024-11-6 16:06:42

wangxiangjun 发表于 2024-11-6 15:18
请问下对于SMIC工艺，又说交流耐压的PDK文档名字叫什么

没用过SMIC不知道叫什么，不过应该是在讲每个model参数的文档里，你找找看

wangxiangjun · 发表于 2024-11-7 09:27:53

hzt_0401 发表于 2024-11-6 16:06
没用过SMIC不知道叫什么，不过应该是在讲每个model参数的文档里，你找找看
...

我这边没找到这个文件，方便给我看下，你用的工艺库是关于管子的DC耐压和AC耐压，以及RMS和PP的描述吗？

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