半导体制造工艺之刻蚀

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1，干法刻蚀，湿法刻蚀，反应例子刻蚀
   湿法刻蚀
   利用液态化学试剂或者溶液通过化学反应进行刻蚀的方法，用在线条较大的IC工艺中。
   优点：选择性好，重复性好，生产效率高，设备简单，成本低；
   缺点：钴蚀严重，对图形的控制性差；
   应用：广泛应用于半导体工艺中：磨片，抛光，清洗，腐蚀
  干法刻蚀
   利用低压放电产生的等离子体中的离子或游离基（处于激发态的分子，原子及各种原子基团等）与材料发生化学反应或通过轰击等物理作用而达到刻蚀的目的。干法刻蚀因其原理不同可分为两种：
   第一种：利用辉光放电产生活性极强的等离子体与需要被刻蚀的材料发生化学反应形成具有挥发性的副产物，再通过排气口把副产物排出反应腔从而完成刻蚀，称为等离子体刻蚀。
   第二种：通过RF电场加速等离子体形成高能离子轰击需要被哦=刻蚀的薄膜材料表面，使薄膜表面的原子被等离子体的原子击出，从而达到利用物理上的能量和动能转移来实现刻蚀的目的，此种刻蚀是通过溅射的方式完成的，也称为等离子体溅射刻蚀。
   优点：各项异性好，可以高保真的转移光刻图形
   应用：主要要溅射与离子束先蚀，等离子刻蚀，反应离子刻蚀等
   刻蚀工艺步骤：刻蚀过程开始于等离子体刻蚀反应物的产生
                         反应物通过扩散的方式穿过滞留气体层到达表面
                         反应物被表面吸收
                         通过化学反应产生挥发性化合物
                         化合物离开表面回到等离体气流中，接着被抽气泵抽出
    反应例子刻蚀
    等离子体刻蚀和等离子体溅射的结合即为反应例子刻蚀，反应例子可是是物理和化学两种过程同时进行的。