连接OD解决天线效应Antenna Effect

Rethinker

小弟最近在使用180bcd工艺，涉及到天线效应的问题。主要还是面积不够没办法跳线解决。

已知我的天线效应的来源主要是MIM+MOM+MOS电容层叠，MIM的bottom是不能接到MOS的gate/OD，但是由于需要电容cell拼接成大的bootstrap电容block，且我的面积不够，我只能在电容的两边使用跳线解决，在另外两边就没有办法跳线了，这样过了单个电容的天线问题。
但是我的这些电容是用来做bootstrap的，需要很多个并联并且外部有高压隔离环。
目前的问题是，我的shp_iso需要接入cap的bottom，nbl接plus，但是当我链接shp_iso和bottom的时候依然会有天线效应报错。即使我使用的是不带od2的隔离环，shp_iso的od2与moscap的od2不相连。
1. 我知道一般情况下，顶层金属没有天线效应因为，顶层一般连接od，但是在这种情况下，用于mimcap的底层金属也连线了od层，是否意味着，天线效应的也几乎不会影响我的moscap的gate。
2. isoring的od2和moscap的od2不相连，是否也意味着，其实从物理上没有影响，只是drc因为bottom看到直接链接了od2就报错，没有分析物理结构。
3. 顺便还有一个问题，我的rppoly的电阻，手册上说，delta V=5V，但是Vb的耐压可以到70V。我这个电阻需要恒定耐压35V，我在使用较小阻值的时候仿真给我提示超压，但是当我把电阻变得很大~100k的时候，超压警告就消失了。这是否意味着，只要我的电阻足够大，并且把它放在hv iso ring里面，这个电阻就可以耐高压。电阻是否损坏应该是跟其流过电流相关吧，如果阻值足够大，那应该这个poly res也可以耐35V？