主要是应力产生的影响，应力来源和影响包括热失配、内在应力、材料的生长和粘弹性。热失配应力是由硅、二氧化硅等不同材料之间的热膨胀性能差异引起的，可以从温度变化和热膨胀系数计算得出;氮化物薄膜等薄膜通常具有很高的应力，因此对整体应力分布有重要影响;在STI工艺中，氧化物衬底的氧化过程中体积会膨胀，从而产生额外的机械应力。这种效应也对衬垫层的初始应变有一定作用;一些材料，如氮化物和二氧化硅，在较高温度下表现出明显的粘弹性。对于使用STI隔离MOSFET，pMOS电导率通常会增强，而nMOS电导率会降低15-20%上下，由于模拟设计通常利用氧化物定义 （OD） 区域产生的效率，因此大多数设计可能会因 STI 应力而产生各种参数偏移。
/2 
eetop公众号
创芯大讲堂
创芯人才网
发表于 2024-2-6 17:40:33
楼主