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查看: 1425|回复: 6

[求助] 1P2M的厚铝工艺怎么做floorplan?

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发表于 2023-12-2 11:31:31 | 显示全部楼层 |阅读模式

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最近在做一个1P2M的工艺,二铝为顶层金属,厚度27K,顶层金属最小线宽最小都1.5u了,
很多地方都是电流镜和差分对结构,公司不让从匹配器件上面走线,在做floorplan以及画模块的时候,
都特别费劲,经常感觉出PIN困难,公司前辈给的方案是线道基本放在芯片中间,拉二三十条M1线道,
但是这样会导致模块间的连线会特别长,比如左右两个模块需要连线的时候,需要先往上跳,
拉一根长的M1,然后再用M2往下跳才能连上,就像下图示意的这样。

以前做的工艺都是至少三层金属起步,在做这个项目的时候真的很不习惯,
请教一下各位前辈有没有什么好的办法布局呢?
1129.png
发表于 2023-12-4 09:36:13 | 显示全部楼层
之前做过一个,但最后由于power管上的过流能力不够就放弃了,当时二铝也没有比正常宽多少
发表于 2023-12-4 09:40:47 | 显示全部楼层
不让从匹配器件上走是啥原因,应该跨器件走线匹配就行。两层金属好,就一层横,一层竖。
 楼主| 发表于 2023-12-4 09:59:13 | 显示全部楼层


benjude 发表于 2023-12-4 09:40
不让从匹配器件上走是啥原因,应该跨器件走线匹配就行。两层金属好,就一层横,一层竖。 ...


器件上方不让走下是为了防止氢化效应,所以现在有差分对和电流镜的模块连线就会很难受。
 楼主| 发表于 2023-12-4 10:00:36 | 显示全部楼层


ZN0001 发表于 2023-12-4 09:36
之前做过一个,但最后由于power管上的过流能力不够就放弃了,当时二铝也没有比正常宽多少 ...


电源芯片真的是太卷了,两层金属还得各种压面积
发表于 2023-12-4 10:26:32 | 显示全部楼层
用M2把源漏拉到环外,用M1接,如果拉出来之后走线方向不理想就M1围着管子绕圈,布局就上面pmos下面nmos中间布M1的线道.
发表于 2023-12-4 16:01:16 | 显示全部楼层
从dummy器件上走也行呀
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