三相全桥1200V/340A SiC MOSFET 智能功率模块

BONCHIP

CMT-PLA3SB12340A 是一款基于 CISSOID HADES2 芯片组的三相1200V/340A 碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块，集成了功率开关和栅极驱动器。
该模块通过轻质 AlSiC 扁平基板进行冷却，可满足高功率密度转换器的要求，提供专为在高达 175°C 的高结温下运行而设计的 SiC 功率模块。与 IGBT 模块相比，该解决方案可以充分发挥 SiC 技术的优势，通过低开关损耗和高温运行实现高效率、高功率密度和高可靠性。
栅极驱动器与电源模块的集成可以直接访问在开关速度和损耗、针对 dI/dt 和 dV/dt 的稳健性以及功率级保护（Desat、UVLO、AMC）方面经过充分验证和优化的解决方案，SSD）。

规格参数

• 功率器件结温：-40°C 至 +175°C
• 栅极驱动器环境温度：-40°C 至 125°C
• 漏源击穿电压：1200V
• 低导通电阻：3.25mOhms（典型值）
• 最大连续电流：Tc=25°C/90°C 时为 340A/260A
• 轻质 AlSiC 平面基板
• 结至外壳热阻：0.183 °C/W（典型值）
• 开关能量@ 600V/300A：Eon=8.42mJ/Eoff=7.05mJ
• 开关频率：最大 50kHz
• 隔离（底板 - 电源引脚）：3600VAC @50Hz（1 分钟）
• 共模瞬态抗扰度：>50kV/μs
• 低寄生电容（初级-次级）：每相典型值为 11pF
• 栅极驱动器保护：
  
  • 欠压锁定 (UVLO)
  • 去饱和保护
  • 软关机（SSD）
  • 负栅极驱动（-3V）
  • 有源米勒钳位 (AMC)
  • 栅源短路保护
    
  
  

应用领域

• 电动汽车 (EV) 电机驱动
• 重型电机驱动器和有源整流器
• 工业电机驱动器
• 航空航天电机驱动器和机电执行器
  

设计支持

如果您需要基于 SiC 的电源转换器设计的支持，请联系我们。

如下资料还请联系我们

CMT-PLA3SB12340A 数据表 ，包括详细的应用部分。

CMT-PLA3SB12340A 3D 步骤文件 ，以虚拟集成到您的电源逆变器设计中。

有关 CISSOID SiC 智能功率模块的直流链路电容器的应用说明。

CMT-PLA3SB12340A LTspice 模型。

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