poly电阻下面绝缘层厚度？

小璐璐12138

第一次发帖，想问一下poly电阻的结构？是衬底上一层二氧化硅绝缘层，再上面是poly嘛？绝缘层厚度大概是什么量级的呢？

最近在看poly电阻的抗辐射能力相关，既然FDSOI下面的box层能在一定程度上抗辐照，那poly电阻下面的绝缘层如果跟box层一样厚度的话，是不是也又一定能力的抗辐射呢？

求解答~感谢~

小李子2333

跟FDSOI一样厚应该是做不到的。
目前28nm FDSOI的下方box的厚度一般在25nm左右，相同工艺下的三星的工艺是大概1nm左右 SiO2+High-k，如果做到25nm以上局部的Poly的起伏过大会有良率问题。
没具体切过这个工艺下的电阻，但是根据经验，如果poly电阻下面有绝缘层，其厚度与logic区域的应该是相近的。但是通常来说在bulk结构下面poly电阻下面是STI，没有有源区，STI的厚度跟FDSOI比起来厚的多，所以，性能应该是没啥影响。