光刻胶深度研究报告分享

芯电图

        光刻胶为半导体核心材料，景气周期与自主可控共振迎来发展新阶段。光刻是半导体加工中最重要的工艺之一，决定着芯片的最小特征尺寸。光刻占芯片制造时间的 40-50%，占其总成本的 30%。光刻胶是光刻环节关键耗材，其质量和性能与电子器件良品率、器件性能可靠性直接相关。根据 SEMI 数据，2021 年光刻胶在晶圆制造材料市场中占比 6.1%，而光刻胶基本被日美垄断，国产化率不足 10%。复盘国内光刻胶上市公司股价走势，半导体景气周期与自主可控两大因素对股价影响大。从当前时点看下游普遍预期 23H2迎来复苏，景气周期有望筑底回升；年初以来自主可控紧迫性进一步加强，景气周期与自主可控共振光刻胶有望迎来发展新阶段。
    Fab 厂积极扩产&制程升级重塑光刻胶市场天花板，预计光刻胶市场国内增速高于全球。光刻胶质量性能直接影响芯片性能和良率，为适应集成电路线宽不断缩小的要求，光刻胶波长也在不断缩短，按波长划分可分为 G 线（436nm）→I 线（365nm）→KrF（248nm）→ArF/ArFi（193nm/134nm）→
EUV（13.5nm）。根据 TECHCET 数据 2020 年全球半导体光刻胶市场中，ArFi 光刻胶占据了 40%，KrF 光刻胶占比 33%。受下游晶圆厂扩产&制程升级驱动全球半导体光刻胶量价齐升，市场空间广阔，根据 TECHECT 数据2021 年光刻胶全球市场规模约为 19 亿美元，2026 年有望增长至 28.5 亿美
金，2021~2026 5 年 CAGR 5.9%。量增：SEMI 预计未来全球晶圆产能将持续扩张，光刻胶作为重要耗材需求同步提高；价升：12 英寸晶圆占比持续提升，2021 年已达 68.47%，12 英寸芯片所用制程通常在 130nm 以下，且在持续向先进制程转移，随着大硅片趋势&制程结构升级，高端光刻胶的需求将
会进一步提升，带动单位面积晶圆消耗的光刻胶价值量上升。随着晶圆产能结构向大陆转移，预计未来国内半导体光刻胶市场将保持高于全球的增速（2022 年国内光刻胶市场预计 39.3 亿元，同比增长 35%，同期全球光刻胶增速 12.32%）。
    从产业链角度看光刻胶存在上游材料/中游配方/下游客户导入等多重壁垒。
①上游：光刻胶由树脂、光敏剂、溶剂等组分构成，树脂、光敏材料等仍依赖进口；
②中游：光刻胶配方需对成百上千种树脂、光敏剂等进行排列组合并不断调整比例才能匹配已有产品的关键参数，需要极强的研发积累，此外测试设备光刻机获取难度大、成本高；
③下游：光刻胶性能及量产的稳定性直接影响芯片性能和良率，且光刻胶的验证时间通常在两年以上，因此下游晶圆厂与供应商粘性较强，导入新供应商意愿不强。
   高壁垒下日美寡头垄断市场，自主可控背景下国产替代加速。高壁垒下当前全球半导体光刻胶市场呈现日美垄断的格局，2020 年全球 ArF 光刻胶市场前四大厂商(TOK、信越化学、JSR、住友化学)均来自日本，CR4 近 80%；KrF日美四大厂商 TOK、信越化学、陶氏化学、JSR 占比近 85%。国内企业半导体光刻胶主要集中在 g/i 线，高端 KrF/ArF 光刻胶国产化率极低，EUV 光刻胶尚处于研发阶段，经过多年积累国内厂家逐渐取得突破：g/i 线光刻胶已有多家企业实现规模量产；KrF 光刻胶北京科华和徐州博康进展较快，2022 年已有多个品种实现销售，此外晶瑞及上海新阳也有少量销售；ArF 光刻胶南大光电 2021 年有产品验证通过，华懋科技、上海新阳也有相关产品进行测试导入；EUV光刻胶：当前国内并无 EUV光刻机，各厂商尚处于理论研发阶段。

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