双阱工艺除了nwell的地方就是pwell吗？

danalog · 发表于 2023-2-12 15:06:57

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小弟有一事不太明白，我看DR上说，pwell的掩模版好像是nwell的掩模版做逻辑运算得到的，而自带器件的版图确实看不到pwell，那这是不是说明，除了nwell的地方，其他的地方都会注入pwell？还有一事，做了nwell以后，还能在nwell上面注入pwell吗？这样做，DRC并没有报错。

踟蹰的天 · 发表于 2023-2-12 17:26:06

pwell和psub是通的。如果一定要把pwell和nwell分开，需要做deep nwell

778084265 · 发表于 2023-2-12 21:22:38

你可以找找相关教材，我记得应该是N+有源版和P+有源版是反的，对于常见的P衬底N阱工艺，通常没有必要再做pwell，nmos直接在衬底上就能做，

关于第二个问题，如果想在nwell里挖pwell，一般需要deep n well，具体看设计手册

powerboy711 · 发表于 2023-2-13 09:40:52

pwell是nwell的取反也是分区域的，包含其他逻辑运算，并不是全芯片取反。nwell上面不做pwell

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