ESD结构，求讲解

debode · 发表于 2022-11-24 15:02:21

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上面是pmos、下面是nmos，最下面是pad

李幕白 · 发表于 2022-11-24 17:26:42

有电路图可以看吗？这个ESD结构包括电阻等其他元件么？ ESD中好像有一个低电压触发硅控整流器LVTSCR 的结构就是在PAD附近有PMOS与NMOS管，但是也包括了其他元件结构，LSCR,R,MOS

Judge_zzx · 发表于 2022-11-24 17:52:50

不像晶闸管啊，看起来有点像ggnmos,有电路图嘛

xiaoqiansimc · 发表于 2022-11-24 18:20:14

有点类似于GGNmos对电流泄放的原理，利用寄生的BJT来实现对PAD端大电流的泄放。以NMOS管为例，S/B/G三端接地，drain端接PAD，最简单的是利用drain端到衬底的反向PN结来泄放电荷到衬底。随着电流的增大，衬底p+到source端的N+形成正向的PN结导通之后，VGS有正向电流，逐渐增大，导致mos管之间的反型层开启，S/D端通路开启，drain端的大量电荷移动到source端，从而引流到衬底，完成大电流的泄放！

debode · 发表于 2022-11-25 09:39:13

Judge_zzx 发表于 2022-11-24 17:52
不像晶闸管啊，看起来有点像ggnmos,有电路图嘛

有的，附件里

debode · 发表于 2022-11-25 09:51:32

xiaoqiansimc 发表于 2022-11-24 18:20
有点类似于GGNmos对电流泄放的原理，利用寄生的BJT来实现对PAD端大电流的泄放。以NMOS管为例，S/B/G三端接 ...

但在电路上没看到ggnmos

note30933 · 发表于 2022-11-25 09:59:42

xiaoqiansimc 发表于 2022-11-24 18:20
有点类似于GGNmos对电流泄放的原理，利用寄生的BJT来实现对PAD端大电流的泄放。以NMOS管为例，S/B/G三端接 ...

学习了

xiaoqiansimc · 发表于 2022-11-30 17:04:03

debode 发表于 2022-11-25 09:51
但在电路上没看到ggnmos

看电路图上，你的PAD输出的线经过一个rc的一端，但是从R出去的另一端接到哪儿了就看不到了。如果电阻的另一端是接到反相器的输入端口，然后再从输出端口接到ESDNMOS管的gate。那这个结构基本上就是常见的RCclamp结构。通过电阻R主要是利用RC电路的延时特性，通过电阻R的瞬态电压为0V，此时如果PMOS管的VGS小于0，PMOS管开启，输出一个电信号控制后面ESDMOS管的导通沟道开启，达到一个迅速泄放大电流的作用，就是我之前说的那种情况。但是如果只是单纯的GGNMOS的话，那只有寄生的BJT导通，NMOS管并没有开启，泄放电流的速度远不如这个RCclamp结构。

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