在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 2405|回复: 3

[原创] 关于非易失性存储器FRAM的常见问题解答

[复制链接]
发表于 2022-3-3 16:58:29 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
什么是FRAM?
FRAM(铁电随机存取存储器)是一种非易失性存储器,它使用铁电薄膜作为电容器来存储数据。FRAM兼具ROM(只读存储器)和RAM(随机存取存储器)的特性,具有写入速度更快、读/写循环寿命长、功耗低等特点。

FRAM采用了哪些类型的应用程序?
FRAM已被用于需要小密度内存和频繁数据写入的应用中。应用示例是;OA设备(例如用于计数器和打印记录的MFP),FA设备(例如用于存储参数和数据记录的测量设备和分析仪),金融终端(例如用于交易历史的ATM)、基础设施计量、汽车导航系统和音频设备。

与传统存储器相比,FRAM是否有任何不同的控制或操作?
FRAM与传统存储器相比,FRAM产品使用起来没有任何困难,因为FRAM产品兼容EEPROM和低功耗SRAM等标准存储器。带串行接口(I2C,SPI)的FRAM兼容串行EEPROM或串行闪存功能。具有并行接口的FRAM可用作低功耗SRAM,称为伪SRAM或电池备份SRAM。

FRAM执行写操作的速度有多快?
非易失性存储器的写入时间在规格中指定为FRAM=150ns,EEPROM=10ms,Flash存储器=10us,因此FRAM的写入操作比EEPROM快7,0000倍。EEPROM和Flash存储器在写操作之前需要进行字节或扇区擦除操作,这会导致更长的写时间。FRAM无需擦除操作即可在存储单元中进行覆盖,因此,尽管是非易失性存储器,但它具有更快的写入特性。

FRAM、F-RAM和FeRAM是同一个吗?
所有FRAM、F-RAM和FeRAM均指铁电随机存取存储器。

什么是串行存储器?I2C接口和SPI接口有什么区别?
我们将具有串行总线接口(I2C和SPI)的FRAM产品定义为FRAM系列中的“串行存储器”。
串行总线是一种以一位操作连续数据输入和输出的通信方式。

I2C串行总线接口是使用两条信号线控制数据输入/输出的接口,“SCL”用于时钟控制,“SDA”用于地址和数据控制。SPI接口是用四根信号线来控制它的操作,“SCK”为时钟,“SI”为地址和数据输入,“SO”为数据输出,“CS”为片选。
发表于 2022-3-25 09:48:02 | 显示全部楼层
了解了,多谢楼主介绍
发表于 2022-4-7 15:01:55 | 显示全部楼层
谢谢楼主分享
发表于 2022-4-24 22:11:17 | 显示全部楼层
thanks for sharing
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /1 下一条


小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2025-1-9 05:01 , Processed in 0.015136 second(s), 7 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表