关于低噪CMOS的工艺制作

register_623 · 发表于 2021-12-27 19:27:24

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我是一个版图工程师，想要了解一下，一些fab提供的low-noise MOS 相比普通MOS多了哪些处理，导致管子的1/f更低。

在我查阅了相当一部分资料之后，发现主要影响1/f参数的两个因素就是
1.晶格本身的缺陷；
2.载流子在界面态的运动；

但是好像都没有提及具体工艺相关的内容，我个人的猜想是从3个方面入手：一是关于生产晶体缺项更少的晶圆，二是衬底本身界面的改善，三是关于栅氧改善，从而改善界面态的影响。

希望能有懂的人，科普一下具体这个制程是如何实现的。十分感谢。

gaojun927 · 发表于 2022-6-25 13:21:15

少做注入，缺陷就少，1/f noise就少

Vale_Z · 发表于 2022-7-5 16:16:16

我看tsmc 40nm 的low noise nmos 有多一层poly-n-analog的mask，但是也没搞清楚这个是怎么做的

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