晕环/口袋离子防止低压MOS源漏串通的原理

musclerush

在亚微米级工艺的LDD工艺中，LDD离子分两次注入，后一次作为晕环/口袋离子注入，我看书上讲其功能是防止短沟道器件源漏串通，那他的原理是什么样的呢？

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前来学习！！

musclerush

我查了下资料解决了，LDD离子的目的是减小短沟道源漏区域的强电场，但因为是轻掺杂会带来较大的寄生电阻。掺杂峰值浓度越低那么寄生电阻就会越大，掺杂峰值浓度越高那么电场强度削弱效果越差。两次注入的峰值浓度比一次注入的峰值浓度更低，掺杂离子更均匀，保证低电阻的同时保证低电场强度（我是这样理解的：腌东西分次加盐，保证入味；一次性加，外面入味里面没入味）。参考：《用于短沟道NMOSFET的轻掺杂漏结构》，王万业著

Sxiaojie

mark下：
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作者：专（来自豆瓣）
来源：https://www.douban.com/note/709998651/

4.口袋注入：短沟道效应产生亚阈值漏电（栅压未达到强反型（关态）时，栅长0.25μm或更小时漏源漏源耗尽区靠近，出现较大的漏源电流即亚阈值漏电）。为减少亚阈值电流，增加一次沟道离子注入即口袋（pocket）注入以增加沟道区和漏源区衬底的杂质离子浓度，减小漏源与衬底的耗尽区横向扩展宽度（防止漏源穿通）。见示意图口袋注入。
口袋注入用于0.18μ以下的短沟道器件，（注入离子与阱同类型，n阱注入n型杂质，p阱注入p型杂质）注入深度大于LDD深度。

Sxiaojie

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